SCE900N1200ED, Modul SiC, Jembatan Setengah

Dengan pesatnya perkembangan kendaraan listrik, energi terbarukan, otomatisasi industri, serta elektronika daya canggih, semikonduktor daya Silikon Karbida (SiC) kini menjadi teknologi penting bagi sistem daya generasi berikutnya yang berkinerja tinggi dan efisien.

Dibandingkan dengan perangkat berbasis silikon konvensional, perangkat SiC menawarkan beberapa keunggulan teknis, antara lain frekuensi pensaklaran yang lebih tinggi, rugi pensaklaran yang lebih rendah, kemampuan operasi pada suhu yang lebih tinggi, serta peningkatan kerapatan daya. Karakteristik-karakteristik ini membantu meningkatkan efisiensi sistem, mengurangi konsumsi energi, serta mendukung desain sistem yang lebih ringkas dan ringan.

Untuk memenuhi permintaan pasar yang terus meningkat terhadap semikonduktor daya berkinerja tinggi, kami memperluas portofolio produk kami guna mencakup seluruh jajaran perangkat SiC produk dan solusi. Lini produk SiC kami meliputi:

• Modul MOSFET SiC

• Perangkat MOSFET SiC Diskret

• Dioda Penghalang Schottky (SBD) SiC

• Solusi Daya Full-SiC

Produk-produk kami dapat diaplikasikan dalam berbagai industri dan aplikasi, antara lain:

• Kendaraan Listrik (EV)

• Sistem penyimpanan energi (ESS)

• Inverter surya

• Inverter Industri dan Penggerak Motor

• Sistem pengisian daya ev

• Peralatan pasokan listrik

• Sistem otomatisasi industri

• Aplikasi Kereta Api dan Industri Berdaya Tinggi

Kami memahami bahwa pelanggan mungkin memiliki kebutuhan berbeda terkait kinerja, jenis kemasan, optimalisasi biaya, dan aplikasi lingkungan. Oleh karena itu, selain produk standar, kami juga bertujuan mendukung pelanggan dalam pemilihan produk dan pencocokan aplikasi sesuai dengan kebutuhan proyek mereka.

Seiring terus berkembangnya teknologi SiC serta semakin luasnya penerapan teknologi ini di pasar global, kami berharap dapat bekerja sama dengan pelanggan dan mitra di seluruh dunia guna menyediakan solusi semikonduktor daya SiC yang andal dan efisien untuk aplikasi energi dan industri masa depan.

Fitur

• Operasi Suhu Tinggi, Kelembaban Tinggi, dan Bias
• Kerugian Ultra Rendah
• Operasi frekuensi tinggi
• Arus Ekor Pemadaman Nol dari MOSFET
• Operasi Perangkat Normal-Mati (Normally-off) dan Aman dari Kegagalan (Fail-safe)
• Pelat Dasar Tembaga dan Isolator Aluminium Nitrida

Aplikasi

• Konverter Daya Tinggi
• Penggerak Motor
• Servo Drive
• Sistem UPS
• Turbin Angin

Absolute Maksimum Peringkat (aT T C=25°C kecuali jika tidak ditentukan )

Ed V _DS: 50~1700 V I _D: 210~1000 A R _DS(on) : 1,3~8,7 mΩ

Daftar produk seri ED