Pengenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 450A.
Fitur
-
V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
-
10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
-
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Induktansi rendah kasus
-
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Khas Aplikasi
-
Hibrida dan listrik memiliki kendaraan
-
Inverter untuk motor d rive
-
Daya yang tak terputus batang pasokan
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
B C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
680
450
|
A |
B CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
900 |
A |
P D |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
2173 |
S |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1200 |
V |
B F |
Diode terus menerus ke depan Cur =0V, |
450 |
A |
B Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
900 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Jangkauan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
B C =450A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
B C =450A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
B C =450A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
B C = 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25o C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
V |
B CES |
Kolektor Memotong -MATI
Saat ini
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
B GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Batang Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
46.6 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
1.31 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
3.50 |
|
μC |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =450A, Batang G = 1.3Ω,
V GE = ± 15V, T j =25o C
|
|
203 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
64 |
|
n |
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
491 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
79 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
16.1 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
38.0 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =450A, Batang G = 1.3Ω,
V GE = ± 15V, T j = 125o C
|
|
235 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
75 |
|
n |
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
581 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
109 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
27.8 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
55.5 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =450A, Batang G = 1.3Ω,
V GE = ± 15V, T j = 150o C
|
|
235 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
75 |
|
n |
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
621 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
119 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
30.5 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
61.5 |
|
mJ |
|
B SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1800
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
|
V F
|
Dioda Maju
Tegangan
|
B F =450A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
B F =450A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
B F =450A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =450A,
-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C
|
|
46 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
428 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
25.2 |
|
mJ |
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =450A,
-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C
|
|
87 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
523 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
46.1 |
|
mJ |
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F =450A,
-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C
|
|
100 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
546 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
52.3 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
Batang 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Penyimpangan dari Batang 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya
Dissipasi
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
Batang CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
Batang thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)
|
|
|
0.069
0.108
|
K/W |
|
Batang thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)
Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)
Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)
|
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
350 |
|
g |
EN
