Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD400SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Kolektor Saat ini @ T C =25o C

@ T C = 100o C

630

400

A

B CM

Berdenyut Kolektor Saat ini t p =1ms

800

A

P D

Maksimum Daya Dissipasi @ T j =175o C

2083

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu maksimum persimpangan ature

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 terhadap +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 terhadap +125

o C

V ISO

Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE (sat )

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =400A, V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C =400A, V GE = 15V, T j =125o C

1.95

B C =400A, V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C = 10.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Pemotongan Kolektor

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.9

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.16

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, B C =400A, Batang G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

257

n

t batang

Waktu naik

96

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

23.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

34.0

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, B C =400A, Batang G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

268

n

t batang

Waktu naik

107

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

35.3

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

51.5

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, B C =400A, Batang G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

278

n

t batang

Waktu naik

118

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

38.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

56.7

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

B F =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

B F =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V, B F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

285

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V, B F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.6

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V, B F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

41.8

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC ’+EE

Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip

0.18

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (per IGBT )

Perpaduan -terhadap -Kasus (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

Batang thCH

Kasus -terhadap -Heat sink (per IGBT )

Kasus -terhadap -Heat sink (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Module)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

BERAT Modul

300

g

Rangka kerja

image(6b521639e0).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000