GD400SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Kolektor Saat ini @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

Berdenyut Kolektor Saat ini t p =1ms

800

A

PD

Maksimum POWER Dissipasi @ T j =175o C

2083

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu maksimum persimpangan ature

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 ke +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 ke +125

o C

V ISO

Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE (sat )

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=400A, V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=400A, V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=400A, V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 10.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Pemotongan Kolektor

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.9

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.16

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, IC=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

257

n

t r

Waktu naik

96

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

23.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

34.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, IC=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

268

n

t r

Waktu naik

107

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

35.3

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

51.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, IC=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

278

n

t r

Waktu naik

118

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

38.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

56.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

IF =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, IF =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

285

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

19

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, IF =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, IF =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+EE ’

Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip

0.18

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT )

Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (per IGBT )

Kasus -ke -Heat sink (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Module)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

BERAT Modul

300

g