GD400SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Kolektor Arus @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor Arus t p =1 mS

800

A

P P

Maksimum Daya Dissipasi @ T j = 175 o C

2083

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu maksimum persimpangan ature

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 ke +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 ke +125

o C

V ISO

Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE (sat )

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A, V GE = 15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =400A, V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =400A, V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.9

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.16

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j =25 o C

257

n

t r

Waktu naik

96

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

23.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

34.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

268

n

t r

Waktu naik

107

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

35.3

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

51.5

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

278

n

t r

Waktu naik

118

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

38.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

56.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A, V GE =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya F =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

Saya F =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

285

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.6

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip

0.18

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT )

Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (per IGBT )

Kasus -ke -Heat sink (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Module)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Beratnya Modul

300

g