Pengenalan singkat
Modul Thyristor Turn-off Cepat ,MK(H) x400 MK400 ,400A . Air pendinginan, diproduksi oleh TECHSEM .
VRRM,VDRM |
Tipe & Garis Besar |
800V |
MKx400-08-406F3 |
MHx400-08-406F3 |
1000V |
MKx400-10-406F3 |
MHx400-10-406F3 |
1200V |
MKx400-12-406F3 |
MHx400-12-406F3 |
1400V |
MKx400-14-406F3 |
MHx400-14-406F3 |
1600V |
MKx400-16-406F3 |
MHx400-16-406F3 |
1800V |
MKx400-18-406F3 |
MHx400-18-406F3 |
1800V |
MK400-18-406F3G |
|
MKx berarti jenis apa pun dari MKC, MKA, MKK
MHx berarti jenis apa pun dari MHC, MHA, MHK
Fitur ：
- Basis pemasangan terisolasi 2500V~
-
Teknologi kontak tekanan dengan Kemampuan siklus daya yang meningkat
- Penghematan ruang dan berat
Aplikasi Tipikal
- Inverter
- Pemanasan induktif
- Pemotong
|
Simbol
|
Karakteristik
|
Kondisi pengujian
|
Tj(°C) |
Nilai |
Unit
|
Min |
TIPE |
Max. |
IT(AV) |
Arus rata-rata dalam keadaan hidup |
gelombang setengah sinus 180° 50Hz Didinginkan dari satu sisi,Tc=55°C |
125
|
|
|
400 |
A |
IT(RMS) |
Arus on-state RMS |
|
|
628 |
A |
Idrm Irrm |
Arus puncak repetitif |
pada VDRM pada VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
ITSM |
Arus dalam keadaan hidup lonjakan |
10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM |
125
|
|
|
7.8 |
kA |
Saya 2t |
I2t untuk koordinasi peleburan |
|
|
310 |
103A 2s |
VTO |
Tegangan Ambang |
|
125
|
|
|
1.22 |
V |
r T |
Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup |
|
|
0.80 |
mΩ |
VTM |
Tegangan puncak dalam keadaan hidup |
ITM = 1200A |
25 |
|
|
2.40 |
V |
dv/dt |
Laju kritis kenaikan tegangan off-state |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif |
Sumber gerbang 1.5A
tr ≤0.5μs Berulang
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Waktu mati komutasi sirkuit |
ITM= 300A, tp= 4000μs, VR= 100V dv/dt= 30V/μs, di/dt=-20A/μs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
IGT |
Arus pemicu gerbang |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Tegangan pemicu gerbang |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Arus penahan |
10 |
|
200 |
mA |
VGD |
Tegangan gerbang non-pemicu |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Resistansi termal Junction ke casing |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.087 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Resistansi termal casing ke heatsink |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.040 |
°C /W |
VISO |
Tegangan isolasi |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
Fm
|
Torsi koneksi terminal(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Jumlah |
Torsi pemasangan(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Jumlah |
TVj |
Suhu persimpangan |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Suhu yang disimpan |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Berat |
|
|
|
1580 |
|
g |
Rangka kerja |
406F3 |
EN
