GD400HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

GD400HFU120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25℃

@ T C=80℃

660

400

A

ICm (1)

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

IFm (1)

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150℃

2660

S

T SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125℃

10

μs

T j

Suhu Junction Maksimum

150

℃

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Torsi Pemasangan

Sekrup Terminal Daya:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 6.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

T j =25℃

1200

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor

Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=400A,V GE = 15V, T j =25℃

3.10

3.60

V

IC=400A,V GE = 15V, T j = 125℃

3.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G= 2,2Ω,V GE =±15 V, T j =25℃

680

n

t r

Waktu naik

142

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

638

n

t f

Waktu musim gugur

99

n

Eaktif

Switching Nyalakan

Kerugian

19.0

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

32.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G= 2,2Ω,V GE =±15 V, T j = 125℃

690

n

t r

Waktu naik

146

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

669

n

t f

Waktu musim gugur

108

n

Eaktif

Switching Nyalakan

Kerugian

26.1

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

36.7

mJ

Cies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

33.7

nF

Coes

Kapasitansi Output

2.99

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.21

nF

ISC

Data SC

T P ≤10μs,V GE =15 V, T j =25℃,

V CC =600V, V CEM ≤1200V

2600

A

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

0.5

ω

LCE

Induktansi Sisa

18

nH

R CC ’+EE ’

Modul resistansi timbal cE, Terminal ke chip

T C=25℃

0.32

m ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =400A

T j =25℃

1.95

2.35

V

T j = 125℃

1.85

T r

Muatan yang Dipulihkan

IF =400A,

V R =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V

T j =25℃

24.1

μC

T j = 125℃

44.3

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

T j =25℃

220

A

T j = 125℃

295

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

T j =25℃

13.9

mJ

T j = 125℃

24.8

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Hubungan ke kasus (per IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) Yodium)

0.096

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

G

BERAT Modul

350

g