GD100HFQ120C1SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

595

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.8

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.30

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE = ± 15V, LD=45nH ,T vj =25o C

59

n

t r

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

209

n

t f

Waktu musim gugur

71

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

11.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

3.15

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE = ± 15V, LD=45nH ,T vj =125o C

68

n

t r

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

243

n

t f

Waktu musim gugur

104

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

14.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

4.36

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE = ± 15V, LD=45nH ,T vj =150o C

71

n

t r

Waktu naik

46

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

251

n

t f

Waktu musim gugur

105

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

15.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

4.63

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE = 15V LD=45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

46.4

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.25

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE = 15V LD=45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

54.5

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.08

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE = 15V LD=45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58.9

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.67

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g