GD100HFQ120C1SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

162

100

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

595

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C =100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

B C =100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.8

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.30

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, Batang G =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45nH ,T vj =25o C

59

n

t batang

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

209

n

t f

Waktu musim gugur

71

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

11.2

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

3.15

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, Batang G =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45nH ,T vj =125o C

68

n

t batang

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

243

n

t f

Waktu musim gugur

104

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

14.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

4.36

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, Batang G =5.1Ω, V GE = ± 15V, L S =45nH ,T vj =150o C

71

n

t batang

Waktu naik

46

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

251

n

t f

Waktu musim gugur

105

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

15.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

4.63

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE = 15V L S =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

46.4

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.25

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE = 15V L S =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

54.5

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.08

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE = 15V L S =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58.9

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.67

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.252 0.446

K/W

Batang thCH

Kasus -terhadap -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g