GD2400SGT120C4S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

GD2400SGT120C4S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ T C =25 ℃

@ T C = 100℃

3800

2400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p =1 mS

4800

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

2400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

4800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75℃

12.9

kW

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

℃

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

℃

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

℃

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

Beratnya Modul

2300

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

T j =25 ℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =96 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =2400A,V GE = 15V, T j =25 ℃

1.70

2.15

V

Saya C =2400A,V GE = 15V, T j =125 ℃

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Waktu naik

215

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

810

n

t f

Waktu musim gugur

145

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

/

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

/

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125℃

695

n

t r

Waktu naik

235

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

970

n

t f

Waktu musim gugur

182

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

488

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

382

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

173

nF

C oes

Kapasitansi Output

9.05

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

7.85

nF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

Q G

Biaya gerbang

V CC =600V,I C =2400A, V GE =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.42

ω

L CE

Induktansi Sisa

10

nH

R CC+EE

Kepala modul

Resistansi,

Terminal ke chip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =2400A

V GE =0V

T j =25 ℃

1.65

2.05

V

T j =125 ℃

1.65

Q r

Dipulihkan

Biaya

Saya F =2400A,

V R =600V,

R Gon =0.3Ω,

V GE = 15V

T j =25 ℃

240

μC

T j =125 ℃

460

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

T j =25 ℃

1650

A

T j =125 ℃

2150

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

T j =25 ℃

/

mJ

T j =125 ℃

208

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

11.6

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

19.7

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

4

K/kW