GD2400SGT120C4S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

GD2400SGT120C4S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Kolektor @ T C=25℃

@ T C= 100℃

3800

2400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p =1ms

4800

A

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

2400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

4800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175℃

12.9

kW

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

℃

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

℃

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

3400

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

BERAT Modul

2300

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

T j =25℃

1200

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=96mA ,V CE =V GE , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=2400A,V GE = 15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

IC=2400A,V GE = 15V, T j =125℃

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j =25℃

600

n

t r

Waktu naik

215

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

810

n

t f

Waktu musim gugur

145

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

/

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

/

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125℃

695

n

t r

Waktu naik

235

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

970

n

t f

Waktu musim gugur

182

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

488

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

382

mJ

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

173

nF

Coes

Kapasitansi Output

9.05

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

7.85

nF

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE =15 V,

T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

T G

Biaya gerbang

V CC =600V,I C=2400A, V GE =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.42

ω

LCE

Induktansi Sisa

10

nH

R CC+EE

Kepala modul

Hambatan,

Terminal ke chip

0.12

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =2400A

V GE =0V

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

T r

Dipulihkan

Biaya

IF =2400A,

V R =600V,

R Gon =0.3Ω,

V GE = 15V

T j =25℃

240

μC

T j =125℃

460

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

T j =25℃

1650

A

T j =125℃

2150

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

T j =25℃

/

mJ

T j =125℃

208

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

11.6

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

19.7

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

4

K/kW