MFC70, Modul Rektifier Thyristor Las, Pendinginan Udara

VDSM, VRSM

VDRM, VRRM

Tipe & Garis Besar

900V

800V

MFC70-08-224H3

1100V

1000V

MFC70-10-224H3

1300V

1200V

MFC70-12-224H3

1500V

1400V

MFC70-14-224H3

1700V

1600V

MFC70-16-224H3

1900V

1800V

MFC70-18-224H3

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz

Dingin sisi tunggal, Tc =85 ℃

125

70

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

125

110

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

15

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

16.2

A ²s* 10 ³

VTO

Tegangan Ambang

125

0.75

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

3.64

m ω

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/ μ s

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μ s Repetitif

125

200

A/ μ s

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.6

2.5

V

IH

Arus penahan

10

250

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.35

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.15

℃ /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Torsi koneksi termal (M5)

2.5

4.0

N ·m

Torsi pemasangan(M6)

4.0

6.0

N ·m

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

100

g

Rangka kerja

224H3