H125KPU,Thyristor Kontrol Fase

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180。gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

TC=55 。C

90

2800

A

IDRM IRRM

Puncak berulang arus

pada VDRM tp= 10ms pada VRRM tp= 10ms

90

700

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

90

40

kA

Saya 2t

Saya 2t untuk koordinasi peleburan

8000

103A 2s

VTO

Tegangan Ambang

90

0.92

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.32

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan o f keadaan mati tegangan

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

Laju kritis kenaikan e dari keadaan hidup arus

VDM = 67% VDRM,

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

90

100

A/μs

Qrr

Biaya pemulihan

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

90

6500

μC

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

Saya H

Arus penahan

25

200

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

90

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi ganda

Gaya penjepit 120kN

0.004

。C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal kasus ke heat sink

0.001