Pengenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh StarPower. 1700V 600A.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- kemampuan hubung singkat 10μs
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
- Suhu junction maksimum 175oC
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
- Inverter untuk motor drive
- AC dan DC servo drive amplifier
- Catu Daya Tak Terputus
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1700 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Kolektor Arus @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1069
600
|
A |
Saya CM |
Berdenyut Kolektor Arus t p =1mS |
1200 |
A |
P P |
Maksimum Daya Dissipasi @ T j =175o C |
4166 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1700 |
V |
Saya F |
Arus Maju Diode Berkelanjutan |
600 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu maksimum persimpangan ature |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 ke +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 ke +125 |
o C |
V ISO |
Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE (sat )
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
Saya C =600A, V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Saya C =600A, V GE = 15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
Saya C =600A, V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C = 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Pemotongan Kolektor
Arus
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V,
T j =25o C
|
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
1.1 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f=1 MHz ,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, Saya C =600A, R G = 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j =25o C
|
|
160 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
67 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
527 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
138 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
154 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
132 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, Saya C =600A, R G = 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j = 125o C
|
|
168 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
80 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
585 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
168 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
236 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
189 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, Saya C =600A, R G = 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j = 150o C
|
|
192 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
80 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
624 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
198 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
259 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
195 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,
T j =150o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Tegangan
|
Saya F =600A, V GE =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Saya F =600A, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
Saya F =600A, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, Saya F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C
|
|
153 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
592 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
76.5 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, Saya F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C
|
|
275 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
673 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
150 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, Saya F =600A,
-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C
|
|
299 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
690 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
173 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T C = 100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya
Dissipasi
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT )
Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
R thCH
|
Kasus -ke -Heat sink (per IGBT )
Kasus -ke -Heat sink (per Dioda )
Case-to-Heatsink (per Module)
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
M |
Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut M 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Beratnya Modul |
|
350 |
|
g |
EN
