Modul IGBT,1700V 600A
Perkenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh StarPower. 1700V 600A.
Fitur
Khas Aplikasi
Absolute Maksimum Peringkat T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1700 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
IC |
Kolektor Saat ini @ T C=25o C @ T C= 100o C |
1069 600 |
A |
ICm |
Berdenyut Kolektor Saat ini t p =1ms |
1200 |
A |
PD |
Maksimum POWER Dissipasi @ T j =175o C |
4166 |
S |
Dioda
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1700 |
V |
IF |
Arus Maju Diode Berkelanjutan |
600 |
A |
IFm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
T jmax |
Suhu maksimum persimpangan ature |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 ke +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 ke +125 |
o C |
V ISO |
Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 mENIT |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
|
V CE (sat ) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
IC=600A, V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
IC=600A, V GE = 15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
|||
IC=600A, V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
|||
V GE (th) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
IC= 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Pemotongan Kolektor Saat ini |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
1.1 |
|
ω |
Cies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f=1 MHz , V GE =0V |
|
72.3 |
|
nF |
Cres |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
1.75 |
|
nF |
|
T G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, IC=600A, R G= 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j =25o C |
|
160 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
67 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
527 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
138 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
154 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
132 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, IC=600A, R G= 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j = 125o C |
|
168 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
80 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
585 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
168 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
236 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
189 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =900V, IC=600A, R G= 1,0Ω, V GE = ± 15V, T j = 150o C |
|
192 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
80 |
|
n |
|
t d (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
624 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
198 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
259 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
195 |
|
mJ |
|
|
ISC |
Data SC |
t P≤ 10 μs, V GE = 15V, T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
2400 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F |
Dioda Maju Tegangan |
IF =600A, V GE =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
IF =600A, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =600A, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
|||
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, IF =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C |
|
153 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
592 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
76.5 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, IF =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C |
|
275 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
673 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
150 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =900V, IF =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C |
|
299 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
690 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
173 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T C= 100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
POWER Dissipasi |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B- nilai |
R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
LCE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT ) Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda ) |
|
|
0.036 0.073 |
K/W |
|
R thCH |
Kasus -ke -Heat sink (per IGBT ) Kasus -ke -Heat sink (per Dioda ) Case-to-Heatsink (per Module) |
|
0.027 0.055 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
BERAT Modul |
|
350 |
|
g |

Tim penjualan profesional kami siap melayani konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.