Pengenalan singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 300A.
Fitur
- Teknologi NPT IGBT
- kemampuan hubung singkat 10μs
- Kerugian switching rendah
- Ketahanan yang kuat dengan kinerja ultra cepat
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
- Catu daya mode switching
- Pemanasan induktif
- Mesin pengelasan elektronik
Absolute Maksimum Peringkat T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Deskripsi |
GD300SGU120C2S |
Unit |
VCES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
VGES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Ic |
Arus Kolektor @ TC=25℃
@ TC=80℃
|
440
300
|
A |
ICM |
Arus Kolektor Berdenyut tp=1ms |
600 |
A |
IF |
Arus Maju Kontinu Dioda @ TC=80℃ |
300 |
A |
IFM |
Arus Maju Maksimum Dioda tp=1ms |
600 |
A |
PD |
Daya Dissipation maksimum @ Tj=150℃ |
2272 |
W |
Tjmax |
Suhu Junction Maksimum |
150 |
℃ |
TSTG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
℃ |
VISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
Torsi Pemasangan |
Sekrup Terminal Sinyal:M4 |
1.1 sampai 2.0 |
|
Sekrup Terminal Daya:M6 |
2,5 sampai 5,0 |
N.M |
Sekrup Pemasangan:M6 |
3,0 sampai 5,0 |
|
Listrik Karakteristik dari IGBT T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Karakteristik Off
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V ((BR) CES |
Kolektor-Emitter
Tegangan Pecah
|
Tj=25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
Pemotongan Kolektor
Arus
|
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Listrik kebocoran gerbang-emitter |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
|
400 |
nA |
Karakteristik On
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
VGE(th) |
Tegangan ambang gerbang-emitter |
IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
V |
|
VCE (sat)
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C |
|
3.45 |
|
Karakteristik Switching
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,
V GE = ± 15V, T j =25℃
|
|
662 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
142 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
633 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
117 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
19.7 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
22.4 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,
V GE = ± 15V, T j =125℃
|
|
660 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
143 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
665 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
137 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
24.9 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
28.4 |
|
mJ |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =30V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
25.3 |
|
nF |
C oes |
Kapasitansi Output |
|
2.25 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
0.91 |
|
nF |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10μs,V GE =15 V,
T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2550
|
|
A
|
L CE |
Induktansi Sisa |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE
|
Kepala modul
Resistansi,
Terminal ke chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Listrik Karakteristik dari Dioda T C =25℃ kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V F |
Dioda Maju
Tegangan
|
Saya F = 300A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.95 |
|
Q r |
Dipulihkan
Biaya
|
Saya F = 300A,
V R =600V,
R G = 3,3Ω,
V GE = 15V
|
T j =25℃ |
|
29.5 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
42.3 |
|
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
T j =25℃ |
|
210 |
|
A |
T j =125℃ |
|
272 |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
T j =25℃ |
|
16.4 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
22.7 |
|
Karakteristik Termal ics
Simbol |
Parameter |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R θ JC |
Junction-to-Case (per IGB T) |
|
0.055 |
K/W |
R θ JC |
Hubungan ke kasus (per D) Yodium) |
|
0.092 |
K/W |
R θ CS |
Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong) |
0.035 |
|
K/W |
Berat |
Berat Modul |
300 |
|
g |
EN
