GD3600SGT120C4S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

GD3600SGT120C4S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

@ T C =25℃

@ T C =80℃

4800

A

3600

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

7200

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

3600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

7200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175℃

16.7

kW

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

℃

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

℃

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Sinyal Sekrup:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Torsi

Pemasangan Sekrup:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

T j =25℃

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =145mA ,V CE =V GE ,T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =3600A,V GE = 15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

Saya C =3600A,V GE = 15V, T j =125℃

2.00

2.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

35.0

μC

R Gint

Resistor Gerbang Internal

T j =25℃

0.5

ω

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

n

t r

Waktu naik

235

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

825

n

t f

Waktu musim gugur

145

n

E pADA

Nyalakan Kehilangan Switching

/

mJ

E mATI

Kerugian Saklar Matikan

/

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125℃

665

n

t r

Waktu naik

215

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

970

n

t f

Waktu musim gugur

180

n

E pADA

Nyalakan Kehilangan Switching

736

mJ

E mATI

Kerugian Saklar Matikan

569

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

258

nF

C oes

Kapasitansi Output

13.5

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

11.7

nF

Saya SC

Data SC

t S C ≤10μs,V GE = 15V, T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤1200V

14000

A

L CE

Induktansi Sisa

10

nH

R CC ’+EE ’

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.12

m ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =3600A

T j =25℃

1.65

2.15

V

T j =125℃

1.65

2.15

Q r

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =3600A,

V R =600V,

R Gon =0.8Ω,

V GE =- 15V

T j =25℃

360

μC

T j =125℃

670

Saya RM

Pemulihan Terbalik Arus

T j =25℃

2500

A

T j =125℃

3200

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

T j =25℃

97

mJ

T j =125℃

180

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

9.0

K/kW

R θ JC

Junction-to-Case (per Dio de)

15.6

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink

(Pelumas konduktif diterapkan, per M odule)

4

K/kW

Berat

Berat dari Modul

2250

g