GD600HTA120P6HT, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

ICN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

600

A

IC

Arus Pengumpul @ T F =90o C

450

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75o C T j =175o C

1075

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang gE

1200

V

IFN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

600

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi kontinu

Untuk 10s dalam periode 30s, kejadian maksimum 3000 kali selama masa hidup me

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

d Merayap

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

d Jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=450A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

V

IC=450A,V GE = 15V, T j =150o C

1.65

IC=450A,V GE = 15V, T j =175o C

1.70

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.60

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

1.90

IC=600A,V GE = 15V, T j =175o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=15.6mA ,V CE =V GE , T j =25o C

6.4

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.67

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

81.2

nF

Coes

Kapasitansi Output

1.56

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.53

nF

T G

Biaya gerbang

V CE =600V,I C =600A, V GE =-8…+15V

5.34

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A,

R Gon =1.0Ω, R Goff = 2,2Ω, LD=22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =25o C

290

n

t r

Waktu naik

81

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

895

n

t f

Waktu musim gugur

87

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

53.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

47.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A,

R Gon =1.0Ω, R Goff = 2,2Ω, LD=22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =150o C

322

n

t r

Waktu naik

103

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1017

n

t f

Waktu musim gugur

171

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

84.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

63.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A,

R Gon =1.0Ω, R Goff = 2,2Ω, LD=22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =175o C

334

n

t r

Waktu naik

104

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1048

n

t f

Waktu musim gugur

187

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

89.8

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

65.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

2000

A

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

V

IF =450A,V GE =0V,T j =150o C

1.75

IF =450A,V GE =0V,T j =175o C

1.70

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T j =175o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8V LD=22nH ,T j =25o C

22.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

304

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8V LD=22nH ,T j =150o C

46.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

336

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V LD=22nH ,T j =175o C

49.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

346

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

19.8

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

p

Tekanan Maksimum Dalam Sistem Pendinginan keluar

2.5

baton

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △V/ △t=10.0 dm 3/mENIT ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g