Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-level, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200TLQ120L3S
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kerugian switching rendah
  • Kemampuan sirkuit pendek
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Kasing induktansi rendah
  • Penyekat heatsink menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

T1,T4 IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

339

200

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1456

S

D1,D4 Diode

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

75

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

150

A

T2,T3 IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

650

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C =95o C

158

100

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

441

S

D2,D3 Diode

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

650

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

100

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

T1,T4 IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C = 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

B C = 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

B C = 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.56

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

142

n

t batang

Waktu naik

25

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

352

n

t f

Waktu musim gugur

33

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

1.21

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

3.90

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

155

n

t batang

Waktu naik

29

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

440

n

t f

Waktu musim gugur

61

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

2.02

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

5.83

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

161

n

t batang

Waktu naik

30

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

462

n

t f

Waktu musim gugur

66

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

2.24

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

6.49

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

D1,D4 Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =75A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

B F =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

B F =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

8.7

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

122

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.91

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

143

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.72

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

152

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.30

mJ

T2,T3 IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C = 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.90

V

B C = 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

B C = 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.0

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.23

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

0.69

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

44

n

t batang

Waktu naik

20

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

200

n

t f

Waktu musim gugur

28

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

1.48

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

2.48

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

48

n

t batang

Waktu naik

24

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

216

n

t f

Waktu musim gugur

40

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

2.24

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

3.28

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C = 100A, Batang G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

52

n

t batang

Waktu naik

24

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

224

n

t f

Waktu musim gugur

48

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

2.64

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

3.68

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 6μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650V

500

A

D2,D3 Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F = 100A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

B F = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

B F = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

3.57

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

99

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.04

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

110

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.70

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

110

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.81

mJ

NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

δR/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang thJC

Hubungan dengan Case (per T1, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de)

Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D4 Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D2,D3 Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Gaya Pemasangan Per Clamp

40

80

N

G

Berat dari Modul

39

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000