GD200TLQ120L3S, Modul IGBT, 3-level, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

339

200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1456

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

75

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

150

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

650

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=95o C

158

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

441

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

650

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.56

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

142

n

t r

Waktu naik

25

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

352

n

t f

Waktu musim gugur

33

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

1.21

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

3.90

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

155

n

t r

Waktu naik

29

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

440

n

t f

Waktu musim gugur

61

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

2.02

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

5.83

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

161

n

t r

Waktu naik

30

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

462

n

t f

Waktu musim gugur

66

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

2.24

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

6.49

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =75A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

8.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

122

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.91

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

143

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.72

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

152

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.30

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.23

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

0.69

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

44

n

t r

Waktu naik

20

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

200

n

t f

Waktu musim gugur

28

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

1.48

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

2.48

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

48

n

t r

Waktu naik

24

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

216

n

t f

Waktu musim gugur

40

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

2.24

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

3.28

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

52

n

t r

Waktu naik

24

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

224

n

t f

Waktu musim gugur

48

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

2.64

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

3.68

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 6μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650V

500

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 100A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

IF = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

3.57

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

99

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.04

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

110

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.70

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

110

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.81

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Hubungan dengan Case (per T1, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de)

Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D4 Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D2,D3 Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Gaya Pemasangan Per Clamp

40

80

N

G

Berat dari Modul

39

g