Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 450A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

900

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

2307

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

900

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, T vj =125 o C

1.95

Saya C =450A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.31

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj =25 o C

284

n

t r

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

388

n

t f

Waktu musim gugur

200

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

45.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

33.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj =125 o C

288

n

t r

Waktu naik

86

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

456

n

t f

Waktu musim gugur

305

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

60.1

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

48.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj = 150 o C

291

n

t r

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

472

n

t f

Waktu musim gugur

381

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

63.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

52.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.90

2.35

V

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =125 o C

2.00

Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

296

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj =125 o C

58.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

309

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

17.7

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45 nH ,T vj = 150 o C

83.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

330

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.3

mJ

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000