GD450HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

900

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

2307

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

900

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=450A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

IC=450A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=18.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.31

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =25o C

284

n

t r

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

388

n

t f

Waktu musim gugur

200

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

45.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

33.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =125o C

288

n

t r

Waktu naik

86

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

456

n

t f

Waktu musim gugur

305

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

60.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

48.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =150o C

291

n

t r

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

472

n

t f

Waktu musim gugur

381

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

63.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

52.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

IF =450A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

IF =450A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

296

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

309

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

17.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

330

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g