GD150PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =95o C

232

150

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

828

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1800

V

B O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

150

A

B FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

B 2t

B 2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

B C =150A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

B C =150A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

4.3

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH ,T j =25o C

292

n

t batang

Waktu naik

55

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

458

n

t f

Waktu musim gugur

392

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

33.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

26.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH ,T j =125o C

342

n

t batang

Waktu naik

67

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

520

n

t f

Waktu musim gugur

568

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

50.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

35.7

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH ,T j =150o C

352

n

t batang

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

535

n

t f

Waktu musim gugur

589

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

53.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

36.3

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

B F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

B F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V GE = 15V L S =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

183

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.4

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V GE = 15V L S =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

196

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

33.9

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V GE = 15V L S =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

199

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.3

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B C =150A, T j =150o C

0.90

V

B Batang

Arus balik

T j =150o C,V Batang =1800V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

0.181 0.300 0.289

K/W

Batang thCH

Kasus -terhadap -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g