Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA , Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A,Kemasan:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 600A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Plat tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC HPS

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

925

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C

3000

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.65

2.00

V

Saya C =600A,V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.25

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.84

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j =25 o C

339

n

t r

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

468

n

t f

Waktu musim gugur

168

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

63.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

56.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j =125 o C

418

n

t r

Waktu naik

135

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

567

n

t f

Waktu musim gugur

269

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

108

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

72.3

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 150 o C

446

n

t r

Waktu naik

151

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

602

n

t f

Waktu musim gugur

281

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

123

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

78.2

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Saya F =600A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15V, L S = 34 nH ,T j =25 o C

49.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

300

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.1

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15V, L S = 34 nH ,T j =125 o C

85.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

314

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

33.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15V, L S = 34 nH ,T j = 150 o C

102

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

318

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.8

mJ

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.050 0.080

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000