GD600HFX120C2SA , Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3000

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.25

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.84

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω, LD=34nH , V GE = ± 15V,T j =25o C

339

n

t r

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

468

n

t f

Waktu musim gugur

168

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

63.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

56.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω, LD=34nH , V GE = ± 15V,T j =125o C

418

n

t r

Waktu naik

135

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

567

n

t f

Waktu musim gugur

269

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

108

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

72.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω, LD=34nH , V GE = ± 15V,T j =150o C

446

n

t r

Waktu naik

151

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

602

n

t f

Waktu musim gugur

281

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

123

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

78.2

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15V, LD=34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

300

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15V, LD=34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

314

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

33.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15V, LD=34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

318

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.050 0.080

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g