GD100PIX120C6SNA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

155

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

511

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1600

V

IO

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

100

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1150

880

A

I2t

I2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

6600

3850

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

87

50

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

100

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

308

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

25

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

50

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

218

n

t r

Waktu naik

35

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

287

n

t f

Waktu musim gugur

212

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

9.23

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

6.85

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

242

n

t r

Waktu naik

41

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

352

n

t f

Waktu musim gugur

323

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

13.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

9.95

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

248

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

365

n

t f

Waktu musim gugur

333

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

14.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

10.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE = 15V T j =25o C

5.89

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

103

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.85

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE = 15V T j =125o C

13.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

109

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.64

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE = 15V T j =150o C

15.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

109

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.39

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A, T j =150o C

0.95

V

IR

Arus balik

T j =150o C,V R =1600V

2.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=50A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=50A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=50A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=2.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

171

n

t r

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

340

n

t f

Waktu musim gugur

82

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

6.10

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

2.88

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

182

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

443

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

8.24

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

4.43

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

182

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

464

n

t f

Waktu musim gugur

175

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

8.99

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

4.94

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =25A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =25A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =25A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j =25o C

2.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

55

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

0.93

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j =125o C

5.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.72

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j =150o C

5.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

60

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.01

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

40

nH

R CC+EE R A A ’+CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter )

Junction-ke-Case (per Diode-invert er)

Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -rem -pemotong ) Junction-to-Case (per Diode-brake-chop per)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )

Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-in verter)

Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni)

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -rem -pemotong )Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-rem- chopper) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g