GD100PIX120C6SNA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

155

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C

511

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

100

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C

1150

880

A

Saya 2t

Saya 2nilai t, t p =10ms @ T j =25 o C @ T j = 150 o C

6600

3850

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

87

50

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

100

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C

308

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

25

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

50

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =100A,V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =100A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C

218

n

t r

Waktu naik

35

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

287

n

t f

Waktu musim gugur

212

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

9.23

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

6.85

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125 o C

242

n

t r

Waktu naik

41

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

352

n

t f

Waktu musim gugur

323

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

13.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

9.95

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j = 150 o C

248

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

365

n

t f

Waktu musim gugur

333

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

14.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

10.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE = 15V T j =25 o C

5.89

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

103

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.85

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE = 15V T j =125 o C

13.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

109

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.64

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C

15.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

109

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.39

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A, T j = 150 o C

0.95

V

Saya R

Arus balik

T j = 150 o C,V R =1600V

2.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =50A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =50A,V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =50A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C

171

n

t r

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

340

n

t f

Waktu musim gugur

82

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

6.10

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

2.88

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE = ± 15V, T j =125 o C

182

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

443

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

8.24

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

4.43

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE = ± 15V, T j = 150 o C

182

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

464

n

t f

Waktu musim gugur

175

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

8.99

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

4.94

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

Saya F =25A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j =25 o C

2.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

55

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

0.93

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j =125 o C

5.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.72

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C

5.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

60

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.01

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

40

nH

R CC+EE R A A ’+ CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter )

Junction-ke-Case (per Diode-invert er)

Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -rem -pemotong ) Junction-to-Case (per Diode-brake-chop per)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )

Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-in verter)

Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni)

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -rem -pemotong )Kasus-ke-Penyerap Panas (per Dioda-rem- chopper) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g