Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 200A.
Fitur
- Teknologi NPT IGBT
- kemampuan hubung singkat 10μs
- Kerugian switching rendah
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Tipikal
- Catu daya mode switching
- Pemanasan induktif
- Mesin pengelasan elektronik
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C =65o C
|
262
200
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
400 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =150o C |
1315 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1200 |
V |
Saya F |
Diode terus menerus ke depan Cur =0V, |
200 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
400 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
150 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +125 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Rentang |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
Saya C =200A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
Saya C =200A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI
Arus
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
1.3 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
0.85 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C
|
|
87 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
40 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
451 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
63 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
6.8 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
11.9 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C
|
|
88 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
44 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
483 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
78 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
11.4 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10μs,V GE = 15V,
T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1300
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V F |
Dioda Maju
Tegangan
|
Saya F =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
Saya F =200A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.00 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
236 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
6.6 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
269 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
10.5 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Hubungan ke kasus (per D) yodium)
|
|
|
0.095
0.202
|
K/W |
|
R thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)
Kasus-ke-Heatsink (p (diode)
Kasus-ke-Heatsink (per Modul)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
200 |
|
g |
EN
