GD300MPX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

468

300

A

Saya CRM

Berulang Puncak Kolektor Arus tp terbatas oleh T vjop

600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1530

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya FRM

Berulang Puncak Maju Arus tp terbatas oleh T vjop

600

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

Saya FRM

Berulang Puncak Maju Arus tp terbatas oleh T vjop

600

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.87

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

215

n

t r

Waktu naik

53

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

334

n

t f

Waktu musim gugur

205

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

21.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

20.7

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

231

n

t r

Waktu naik

59

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t f

Waktu musim gugur

296

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

30.1

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

28.1

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C

240

n

t r

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

376

n

t f

Waktu musim gugur

311

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

32.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

29.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

235

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.7

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

257

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

27.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

262

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

30.8

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

290

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.4

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

301

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.2

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

306

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.3

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

35

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.45

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per Diode-invert er) Junction-ke-Case (per Diode-3-le vel)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Case-ke-Sink (per IGBT-in verter) Case-ke-Sink (per Diode-i nverter) Case-ke-Sink (per Diode-3- tingkat) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g