Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD300MPX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1200V 300A, Kemasan:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300MPX120C6SA
  • Pengantar
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengantar

Perkenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER .1200V 300A.

Fitur

  • Teknologi NPT IGBT
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • Kerugian switching rendah
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Umum

  • Energi surya
  • UPS
  • aplikasi 3-Tingkat

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

Inverter IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Berulang Puncak Kolektor Saat ini tp terbatas oleh T vjop

600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1530

S

Inverter DIODE

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFRM

Berulang Puncak Maju Saat ini tp terbatas oleh T vjop

600

A

Dioda-3-tingkat

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFRM

Berulang Puncak Maju Saat ini tp terbatas oleh T vjop

600

A

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT -inverter Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.87

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

215

n

t r

Waktu naik

53

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

334

n

t f

Waktu musim gugur

205

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

21.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

20.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

231

n

t r

Waktu naik

59

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t f

Waktu musim gugur

296

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

30.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

28.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C

240

n

t r

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

376

n

t f

Waktu musim gugur

311

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

32.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

29.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Dioda -inverter Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

235

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

257

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

27.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

262

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

30.8

mJ

Dioda -3-tingkat Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

290

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

301

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

306

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.3

mJ

NTC Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

35

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.45

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per Diode-invert er) Junction-ke-Case (per Diode-3-le vel)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Case-ke-Sink (per IGBT-in verter) Case-ke-Sink (per Diode-i nverter) Case-ke-Sink (per Diode-3- tingkat) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000