GD300MNX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300A.

Fitur

Teknologi NPT IGBT
kemampuan hubung singkat 10μs
Kerugian switching rendah
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

Energi surya
UPS
aplikasi 3-Tingkat

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Inverter IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C	468 300	A
Saya CRM	Berulang Puncak Kolektor Arus tp terbatas oleh T vjop	600	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C	1530	W

Inverter DIODE

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya FRM	Berulang Puncak Maju Arus tp terbatas oleh T vjop	600	A

Dioda-3-tingkat

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	300	A
Saya FRM	Berulang Puncak Maju Arus tp terbatas oleh T vjop	600	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
T vjmax	Suhu Junction Maksimum	175	o C
T vjop	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	o C
T STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT -inverter Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =25 o C		1.70	2.15	V
		Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =125 o C		1.95
		Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.00
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =12.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			2.5		ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		31.1		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.87		nF
Q G	Biaya gerbang	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25 o C		215		n
t r	Waktu naik			53		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			334		n
t f	Waktu musim gugur			205		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			21.5		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			20.7		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125 o C		231		n
t r	Waktu naik			59		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			361		n
t f	Waktu musim gugur			296		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			30.1		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			28.1		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C = 300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj = 150 o C		240		n
t r	Waktu naik			62		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			376		n
t f	Waktu musim gugur			311		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			32.9		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			29.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Dioda -inverter Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 o C		1.90
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25 o C		36.3		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			235		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			15.7		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125 o C		61.3		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			257		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			27.5		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj = 150 o C		68.8		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			262		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			30.8		mJ

Dioda -3- tingkat Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125 o C		1.90
		Saya F = 300A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25 o C		36.2		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			290		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			13.4		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125 o C		56.6		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			301		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			22.2		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj = 150 o C		65.9		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			306		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			26.3		mJ

NTC Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
∆R/R	Penyimpangan dari R 100	T C =100 o C r 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya Dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
L CE	Induktansi Sisa		35		nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip		1.45		mΩ
R thJC	Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per Diode-invert er) Junction-ke-Case (per Diode-3-le vel)			0.098 0.176 0.176	K/W
R thCH	Case-ke-Sink (per IGBT-in verter) Case-ke-Sink (per Diode-i nverter) Case-ke-Sink (per Diode-3- tingkat) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.033 0.059 0.059 0.009		K/W
M	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Berat dari Modul		350		g