GD150PIY120C6SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1111

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1600

V

IO

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

150

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

833

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

100

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=150A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

15.5

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

96

n

t r

Waktu naik

30

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

255

n

t f

Waktu musim gugur

269

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

8.59

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

12.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

117

n

t r

Waktu naik

37

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

307

n

t f

Waktu musim gugur

371

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

13.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

16.8

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

122

n

t r

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

315

n

t f

Waktu musim gugur

425

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

14.8

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

18.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE = 15V T j =25o C

8.62

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

177

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.68

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE = 15V T j =125o C

16.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

191

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE = 15V T j =150o C

19.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

196

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

12.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

IR

Arus balik

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

7.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

170

n

t r

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

360

n

t f

Waktu musim gugur

86

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

5.90

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

6.05

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

180

n

t r

Waktu naik

42

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

470

n

t f

Waktu musim gugur

165

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

9.10

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

9.35

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

181

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

480

n

t f

Waktu musim gugur

186

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

10.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

10.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j =25o C

6.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

62

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

1.67

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j =125o C

10.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

69

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

2.94

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15V T j =150o C

11.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

72

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.63

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

40

nH

R CC+EE R A A ’+CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier) Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -rem )

Junction-ke-Case (per Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -rem )

Case-ke-Heatsink (per Dio de-brake) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M