GD200HFY120C8SN ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

400

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 o C

1578

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =200A,V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C

150

n

t r

Waktu naik

32

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

330

n

t f

Waktu musim gugur

93

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

11.2

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

11.3

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

161

n

t r

Waktu naik

37

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

412

n

t f

Waktu musim gugur

165

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

19.8

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

17.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

161

n

t r

Waktu naik

43

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

433

n

t f

Waktu musim gugur

185

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

21.9

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

19.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

228

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.7

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

31.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

238

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j = 150 o C

36.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

247

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

22

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095

0.161

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.146

0.248

0.046

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M5

2.5

2.5

3.5

3.5

N.M

G

Berat dari Modul

200

g