GD200HFY120C8SN ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

400

200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

1578

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, Batang G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

150

n

t batang

Waktu naik

32

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

330

n

t f

Waktu musim gugur

93

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

11.2

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

11.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, Batang G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

161

n

t batang

Waktu naik

37

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

412

n

t f

Waktu musim gugur

165

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

19.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

17.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, Batang G= 1. 1Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

161

n

t batang

Waktu naik

43

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

433

n

t f

Waktu musim gugur

185

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

21.9

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

19.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

228

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.7

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

238

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.8

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

247

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

LCE

Induktansi Sisa

22

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095

0.161

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.146

0.248

0.046

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M5

2.5

2.5

3.5

3.5

N.M

G

Berat dari Modul

200

g