GD150HFU120C8SD ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =150o C

1237

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=150A,V GE = 15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.50

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.60

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

183

n

t r

Waktu naik

73.8

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

438

n

t f

Waktu musim gugur

33.0

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

12.8

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

5.31

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

185

n

t r

Waktu naik

74

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

476

n

t f

Waktu musim gugur

44.5

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

15.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

7.74

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, T vj =25o C

11.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

113

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.02

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, T vj =125o C

22.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

139

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.58

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g