GD150HFU120C8SD ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =85o C

238

150

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =150o C

1237

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =150A,V GE = 15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

B C =150A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.50

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.60

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, Batang G =6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

183

n

t batang

Waktu naik

73.8

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

438

n

t f

Waktu musim gugur

33.0

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

12.8

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

5.31

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, Batang G =6.8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

185

n

t batang

Waktu naik

74

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

476

n

t f

Waktu musim gugur

44.5

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

15.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

7.74

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, T vj =25o C

11.9

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

113

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.02

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15V, T vj =125o C

22.5

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

139

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.58

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.101 0.257

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g