GD1000HFA75N5HT

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1000V 750A.

Fitur

Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
Kerugian switching rendah
6μs kemampuan hubung singkat
VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
Suhu junction maksimum 175 ℃
Kasing induktansi rendah
Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
Baseplate tembaga pinfin terisolasi menggunakan Si ₃N ₄Teknologi AMB

Aplikasi Tipikal

Aplikasi otomotif
Kendaraan hibrida dan listrik
Inverter untuk motor drive

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	750	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya CN	Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental	1000	A
Saya C	Kolektor Arus T vj = 175 o C	680	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms	1360	A
P P	Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C	1086	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia	750	V
Saya FN	Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental	1000	A
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	680	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms	1360	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
T vjmax	Suhu Junction Maksimum	175	o C
T vjop	Suhu Junction Operasi kontinu	-40 hingga +150	o C
T STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Karakteristik T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =680A,V GE = 15V, T vj =25 o C		1.25	1.50	V
		Saya C =680A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		1.35
		Saya C =680A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.40
		Saya C =1000A,V GE = 15V, T vj =25 o C		1.45
		Saya C =1000A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.70
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	5.5	6.5	7.0	V
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 175 o C		3.5		V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam			1.0		ω
C ies	Kapasitas input	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		nF
C oes	Kapasitansi Output			1.51		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi			0.32		nF
Q G	Biaya gerbang	V CE =400V, Saya C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj =25 o C		196		n
t r	Waktu naik			50		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			407		n
t f	Waktu musim gugur			125		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			11.1		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			29.1		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj = 150 o C		222		n
t r	Waktu naik			63		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			471		n
t f	Waktu musim gugur			178		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			19.7		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			37.4		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V, T vj = 175 o C		224		n
t r	Waktu naik			68		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			490		n
t f	Waktu musim gugur			194		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			21.7		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			39.5		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 6μs,V GE = 15V,		4000		A
		T vj =25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V
		t P ≤3μs,V GE = 15V, T vj = 175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300

Dioda Karakteristik T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.60	2.05	V
		Saya F =680A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.60
		Saya F =680A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.55
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C		1.80
		Saya F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.75
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =680A, -di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj =25 o C		19.9		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			458		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			6.10		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =680A, -di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj = 150 o C		29.7		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			504		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			9.70		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =400V,I F =680A, -di/dt=11740A/μs,V GE =- 10V, L S =16 nH ,T vj = 175 o C		34.5		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			526		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			11.0		mJ

PTC Karakteristik T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
R	Nominal Hambatan	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Koefisien Suhu nt			0.38		%/K
T S	Self Pemanasan	T C =0 o C Saya m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modul Karakteristik T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
L CE	Induktansi Sisa		5		nH
p	Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan			2.5	batang
R thJF	Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △ V/ △ t=8.0 dm 3/min ,T F =65 o C		0.080 0.115		K/W
M	Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M5	5.4 5.4		6.6 6.6	N.M
G	Berat dari Modul		220		g