|
Simbol
|
Karakteristik
|
Kondisi pengujian
|
Tj( °C)
|
Nilai |
Unit
|
Min |
TIPE |
Max. |
IF(AV) |
Arus maju rata-rata |
180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi tunggal, TC=100 °C |
150
|
|
|
160 |
A |
IF(RMS) |
Arus maju RMS |
|
|
251 |
A |
IRRM |
Arus puncak repetitif |
pada VRRM |
150 |
|
|
12 |
mA |
IFSM |
Arus Maju Lonjakan |
10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM
|
150
|
|
|
4 |
kA |
I2t |
I2t untuk koordinasi peleburan |
|
|
80 |
A2s*103 |
VFO |
Tegangan Ambang |
|
150
|
|
|
0.85 |
V |
rF |
Resistansi kemiringan maju |
|
|
1.25 |
m ω |
VFM |
Tegangan maju puncak |
IFM=480A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Resistansi termal
Junction ke casing
|
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.20 |
C /W |
Rth(c-h) |
Resistansi termal casing ke heatsink |
Dingin sisi tunggal per chip |
|
|
|
0.08 |
C /W |
VISO |
Tegangan isolasi |
50Hz,R.M.S,t=1min, Iiso:1mA(maks) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Torsi koneksi terminal(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
Torsi pemasangan(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
TSTG |
Suhu yang disimpan |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Berat |
|
|
|
165 |
|
g |
Rangka kerja |
229H3 |
EN
