Super-junction MOSFET

A super-junction MOSFET (fém-oxid félvezető térhatás-tranzisztor) a hagyományos VDMOS alapján vezeti be a laterális elektromos mező szabályozását, így a vertikális elektromos mező eloszlása közelít az ideális téglalap alakhoz. Ez a szerkezet növeli az eszköz átütési feszültségét körülbelül 20%-kal ugyanakkor megtartva ugyanazt az epitaxiális ellenállást. Az termékek azonos átütési feszültség-specifikációk mellett a super-junction technológiával készült eszközök egységnyi felületre jutó vezetési ellenállása a hagyományos szerkezetnél mérhető érték nyolcadánál is kisebb lehet, így egyidejűleg optimalizálva a vezetési és a zárt állapot jellemzőit.
Szuper-csúcsos MOSFET-sorozatunkat mély ároktechnológiával és többszörös epitaxiális eljárásokkal gyártjuk, amelyek alacsony bekapcsolt ellenállást és kapu-töltést biztosítanak. Ez jelentősen csökkenti a bekapcsolt és kikapcsolt állapotban keletkező veszteségeket, így különösen alkalmas nagy teljesítménysűrűségű és magas hatásfokú villamosenergia-átalakító rendszerekre.

A szuper-csúcsos MOSFET alkalmazásának áttekintése az OBC-ben

A szuper-csúcsos MOSFET alkalmazásának áttekintése az OBC-ben
Az elektromos és hibrid járművek ideális töltési helyei nem korlátozódnak kizárólag a töltőállomásokra. Bármely olyan célállomás, ahol elektromos áram áll rendelkezésre, megfelelő lehet. Az autóba épített töltőegység (OBC) egy olyan eszköz, amely váltakozó áramot egyenárammá alakít át a jármű feltöltéséhez szükséges feszültségre. Lehetővé teszi a jármű töltését fOLOLDAL vagy a munkahelyen. Teljesítménye meghatározza a töltés teljesítményét és hatásfokát, és közvetlenül befolyásolja a felhasználói élményt.