Gestionar el calor en un módulo compacto de IGBT es uno de los desafíos de ingeniería más críticos en la electrónica de potencia moderna. A medida que aumentan las frecuencias de conmutación y se reducen las dimensiones físicas, la carga térmica por unidad de superficie aumenta drásticamente. Sin una buena...
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En la electrónica de potencia moderna, el módulo de carburo de silicio (SiC) ha surgido como un componente crítico que impulsa la eficiencia en aplicaciones industriales, automotrices y energéticas. La tecnología de carburo de silicio permite frecuencias de conmutación más altas y temperaturas de operación elevadas...
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En la conversión de potencia de alta frecuencia, las pérdidas en la etapa de excitación de compuerta representan una de las fuentes más significativas y, con frecuencia, subestimadas de ineficiencia en cualquier circuito basado en MOSFET. A medida que las frecuencias de conmutación aumentan hasta cientos de kilohertz o incluso megahertz...
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El perfil de parada de campo es una de las variables estructurales más importantes en el diseño avanzado de obleas de IGBT. A medida que la electrónica de potencia sigue avanzando hacia frecuencias de conmutación más altas y presupuestos térmicos más ajustados, la forma en que los ingenieros diseñan la parada de campo...
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En la electrónica de potencia de alta potencia, el módulo de IGBT desempeña un papel central al controlar corrientes elevadas y tensiones altas con precisión. A medida que aumentan las frecuencias de conmutación y la densidad de potencia, incluso pequeñas cantidades de inductancia parásita dentro del módulo de IGBT...
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La aparición del nuevo módulo de carburo de silicio (SiC) ha cambiado fundamentalmente la forma en que los ingenieros de electrónica de potencia abordan el análisis de las pérdidas dinámicas. A diferencia de los dispositivos convencionales basados en silicio, un módulo de SiC opera a frecuencias de conmutación más altas y temperaturas de unión elevadas...
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Cuando un MOSFET se calienta excesivamente, las consecuencias van mucho más allá de un disipador de calor tibio. El sobrecalentamiento es una de las principales causas de fallo prematuro en electrónica de potencia, y en aplicaciones industriales o de conmutación de alta frecuencia, un único evento térmico puede provocar...
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En electrónica de potencia, el límite de rendimiento de cualquier circuito de conmutación suele estar determinado no por la tensión o la corriente nominal del transistor, sino por un parámetro más sutil y frecuentemente mal comprendido: la carga de compuerta. Todo diseñador que haya intentado impulsar un MOSFET...
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En la electrónica de potencia moderna, las pérdidas por conmutación representan uno de los desafíos más persistentes a los que se enfrentan los diseñadores de circuitos, los ingenieros de inversores y los desarrolladores de módulos de potencia. En el centro de este desafío se encuentra un fenómeno conocido como carga de recuperación inversa...
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La capa de parada de campo es uno de los elementos estructurales más importantes en el diseño moderno de semiconductores de potencia, y comprender su perfil es fundamental para mejorar el rendimiento de cualquier oblea IGBT destinada a aplicaciones de alta tensión y alta corriente...
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La carga de compuerta es uno de los parámetros más críticos, aunque frecuentemente mal entendidos, en la selección de MOSFET para aplicaciones de electrónica de potencia. Aunque las clasificaciones de tensión y la resistencia en conducción suelen dominar las primeras discusiones sobre la selección de componentes, la carga de compuerta cha...
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Los circuitos de topología en semi-puente representan un pilar fundamental de la electrónica de potencia moderna, permitiendo una conversión eficiente de energía en aplicaciones que van desde accionamientos de motores hasta inversores para energías renovables. Dentro de estos circuitos, la colaboración entre aislamiento...
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