Toutes les catégories
Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Module en SiC

Module en SiC

Page d’accueil /  Produits /  SiC /  Module SiC

SCE400N1200EK6B, module SiC, configuration six-paquets (triphasé)

1200 V, 400 A, 4 mΩ
Brand:
SCE
Spu:
SCE900N1200ED
Appurtenance:

Brochure produit :Télécharger

  • Introduction
  • Dimensions
  • CIRCUIT
Introduction

Série EK6 de modules de puissance en carbure de silicium (SiC) EK6(1).png

  1. Température maximale de jonction en fonctionnement : 175 ℃ ;

  2. Densité de puissance élevée et pertes de commutation faibles ;

  3. Adapté aux applications à haute température et haute fréquence ;

  4. Plage de paramètres :

    • V Ds : 650–1700 V

    • E D : 100–400 A

    • Barre DS(ON) : 2,5–26 mΩ

Liste des produits de la série EK6

Référence produit VDS RDS(on) à 25 °C ID
SCE400N1200EK6B les autres 4 mΩ 400A
SCE 300N1200EK6 les autres 5,3 mΩ 300A
SCE 300N1200EK6B les autres 5,3 mΩ 300A
SCE 200N1200EK6 les autres 8 mΩ 200A
SCE 100N1200EK6 les autres 16 mΩ 100A
SCE 100N1200EK6B les autres 16 mΩ 100A
SCE 200N1700EK6 unité de régulation 13 mΩ 200A
SCE 200N1700EK6F unité de régulation 13 mΩ 200A



SCE400N1200EK6B
Module SiC, six modules (triphasé)
Le module SCE-MEK6 intègre le MOSFET SiC à canal N de troisième génération de SCE, 1200 V. Capteur de température NTC intégré

Caractéristiques

  • Densité de courant élevée
  • Conception à faible inductance
  • Faibles pertes de commutation
  • Fonctionnement haute fréquence
  • Courant de queue nul à l’arrêt du MOSFET
  • Fonctionnement normalement bloqué et sécurisé

Applications

  • Application de commutation haute fréquence
  • Convertisseur DC/DC
  • Chargeur dc pour véhicule électrique
  • Le soudage

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V Ds

Tension Drain-Source

-

-

1200

V

V GS

Tension grille-source

-10

-

+22

V

E CC

Continu CC Courant de fuite

-

400

-

A

E DRM

Pic répétitif Vidange Cu rente

-

800

-

A

T op ; T gST

Plage de températures de fonctionnement et de stockage

-40

-

+150

C

L Étranger

Inductivité de déplacement

-

-

20

nH

V isolée

Tension d’essai d’isolement (f = 50 Hz ; t = 1 min)

-

3.0

-

kV

M

Couple de serrage pour le montage du module Vis M5

3.0

-

6.0

Nm

G

Poids

-

300

-

g

Barre th JC

Thermique Résistance jonction à dissipateur thermique

-

0.12

-

C/W

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation (à T C =25°C à moins autrement spécifié )

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

VDS

Tension Drain-Source

-

-

1200

V

VGS

Tension grille-source

-10

-

+22

V

IDC

Courant continu de drainage en courant continu

-

400

-

A

IDRM

Courant de pointe répétitif de drainage

-

800

-

A

Haut ; Tstg

Plage de températures de fonctionnement et de stockage

-40

-

+150

C

LStray

Inductivité de déplacement

-

-

20

nH

Le visol

Tension d’essai d’isolement (f = 50 Hz ; t = 1 min)

-

3.0

-

kV

M

Couple de serrage pour le montage du module, vis M5

3.0

-

6.0

Nm

G

Poids

-

300

-

g

Rth JC

Résistance thermique, jonction-vers-dissipateur

-

0.12

-

C/W

Dimensions

Package Dimensions (mm).png

CIRCUIT

Circuit Diagram Headline.png

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Produit associé

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000