Module IGBT 1200V

GD720HTA120P6HLT,Module IGBT,STARPOWER

1200V 720A Package:P6

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD720HTA120P6HLT

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 720A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
Faibles pertes de commutation
capacité de court-circuit de 4μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de jonction 175oC
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Baseplate en pinfin en cuivre isolé utilisant la technologie Si3N4AMB

Applications Typiques

Automobile application
Véhicule hybride et électrique
Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeurs	Unité
V Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V
V GES	Voltage de l'émetteur de la porte	±20	V
E Nom de la CN	Collecteur Cu implémenté rente	720	A
E C	Courant collecteur @ T F =65o C	600	A
E Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	1440	A
P D	Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T vj =175o C	1204	L

Diode

Le symbole	Description	Valeurs	Unité
V RRM	Voltage inverse de pic répétitif généralement générés	1200	V
E FN	Collecteur Cu implémenté rente	720	A
E F	Diode courant continu avant Cu rente	600	A
E FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	1440	A

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T vjmax	Température maximale de jonction	175	o C
T vjop	Température de fonctionnement de la jonction continue Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi	-40 à +150 +150 à +175	o C
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

L'IGBT Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C		1.50		V
		E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C		1.80
		E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C		1.85
		E C =720A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C		1.60
		E C =720A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C		2.05
V Généralement générés (th)	Seuil d'émetteur de porte Tension	E C =15.6le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C		6.0		V
E Le CES	Le collecteur Découpé -Éteint Actuel	V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C			1.0	le nombre de
E GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C			400	nA
Barre Le gint	Résistance interne de la porte			1.67		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V		48.7		nF
C oes	Capacité de sortie			1.55		nF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.26		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V CE =800V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V		3.52		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =800V,I C =600A, Barre Gon =3.0Ω, Barre Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =25o C		208		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			65		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			505		n.S.
t f	Temps d'automne			104		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			77.7		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			62.2		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =800V,I C =600A, Barre Gon =3.0Ω, Barre Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =150o C		225		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			75		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			567		n.S.
t f	Temps d'automne			191		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			110		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			83.4		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V CC =800V,I C =600A, Barre Gon =3.0Ω, Barre Goff =1,0Ω, L S =24nH, V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =175o C		226		n.S.
t barre	Il est temps de monter.			77		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			583		n.S.
t f	Temps d'automne			203		n.S.
E sur	On le met en marche Le changement Perte de			118		je suis désolé.
E éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			85.9		je suis désolé.
E SC	Données SC	t P ≤4μs, V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V		2600		A

Diode Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V F	Diode vers l'avant Tension	E F =600A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C		1.95		V
		E F =600A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C		1.95
		E F =600A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C		1.90
		E F =720A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C		2.05
		E F =720A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C		2.05
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre =800V,I F =600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V Généralement générés =-8V, T vj =25o C		44.3		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			346		A
E réc	Récupération Énergie			16.2		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre =800V,I F =600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V Généralement générés =-8V, T vj =150o C		73.4		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			385		A
E réc	Récupération Énergie			27.8		je suis désolé.
Q: Le numéro barre	Charge récupérée	V Barre =800V,I F =600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V Généralement générés =-8V, T vj =175o C		80.7		le taux de décharge
E RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			392		A
E réc	Récupération Énergie			30.7		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
Barre 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Déviation de Barre 100	T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25/50	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		8		nH
Barre CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.75		mΩ
p	Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit T plaque de base <40o C T plaque de base 40o C (pression relative)			2.5 2.0	barre
Barre thJF	Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C		0.072 0.104	0.083 0.120	Pour les produits de base
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m.
G	Poids de Module		750		g

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SiC

Module IGBT

Wafer IGBT/FRD

Composant IGBT

Convertisseur Analogique-Numérique Haute Précision

Convertisseur Numérique-Analogique Haute Performance

Amplificateurs d'Instrumentation

LDO Haute Précision

Références De Tension

Module Diode

Diode de redressement de type capsule

Module Thyristor/Diode

MOSFET

Relais Photo MOS

Relais électromagnétique

Relais temporisé

Contrôleur intégré

Contrôleur d'alimentation

Module IGCT

vAA (Pile à combustible à hydrogène)

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Le schéma

Schéma de circuit équivalent

Produit associé

Y89KFG,Thyristor à déconnexion rapide non symétrique

Y76KFE,Thyristor à coupure rapide non symétrique

MK(H)x400 MK400, Modules Thyristor à extinction rapide, Refroidissement par eau

JGC-5379M 0,3 A/±80 V Quatre sorties normalement ouvertes (4 A) Relais photo MOS pour Défense, aérospatiale, commande automatique, commande d'allumage

JCKZQ-13M 20A/50Vc.c. contrôleur intégré scellé à quatre sorties

CM7506L Convertisseur numérique-analogique de précision, 16 bits

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