GD1200HFX170C3S, Module IGBT, Module IGBT à grand courant, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

1965

1200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

2400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

6.55

kW

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

1200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

2400

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

2.25

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =48.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.6

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

142

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

3.57

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

11.8

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 25 o C

700

n.S.

t r

Il est temps de monter.

420

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1620

n.S.

t f

Temps d'automne

231

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

616

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

419

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 125 o C

869

n.S.

t r

Il est temps de monter.

495

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1976

n.S.

t f

Temps d'automne

298

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

898

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

530

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V. Le groupe Généralement générés =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 150 o C

941

n.S.

t r

Il est temps de monter.

508

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

2128

n.S.

t f

Temps d'automne

321

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

981

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

557

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 150 o C ,V. Le groupe CC =1000V,

V. Le groupe MEC ≤ 1700V

4800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Je F =1200A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =110nH,T vj = 25 o C

217

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

490

A

E réc

Récupération Énergie

108

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =110nH,T vj = 125 o C

359

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

550

A

E réc

Récupération Énergie

165

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R = 900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =110nH,T vj = 150 o C

423

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

570

A

E réc

Récupération Énergie

200

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.37

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Le couple de connexion du terminal, Vire M8 Le couple de montage Vire M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Poids de Module

1500

g