GD400SGY120C2S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Le collecteur Actuel @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

Je Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p =1 mS

800

A

P D

Le montant maximal Puissance Dissipation @ T j = 175 o C

2083

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à courant continu vers l'avant

400

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction nature

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Isolement Tension RMS ,f=50 HZ , t=1 min

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (assis )

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.95

Je C = 400A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 10.0le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés ,T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Coupe du collecteur

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V,

T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.9

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz ,

V. Le groupe Généralement générés =0V

41.4

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.16

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V... +15V

3.11

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, R G = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

257

n.S.

t r

Il est temps de monter.

96

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

103

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

23.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

34.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, R G = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

268

n.S.

t r

Il est temps de monter.

107

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

659

n.S.

t f

Temps d'automne

144

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

35.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

51.5

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V, Je C = 400A, R G = 2,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

278

n.S.

t r

Il est temps de monter.

118

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

680

n.S.

t f

Temps d'automne

155

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

38.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

56.7

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C ,V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 125o C

1.85

Je F = 400A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 150o C

1.85

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

38.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

285

A

E réc

Récupération Énergie

19

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C

66.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

E réc

Récupération Énergie

36.6

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V, Je F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C

76.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

399

A

E réc

Récupération Énergie

41.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC + EE ’

Résistance au plomb du module, borne à Chip

0.18

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (par L'IGBT )

Réservoir -à -Étude de cas (par Diode )

0.072

0.095

Pour les produits de base

R thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (par L'IGBT )

Étude de cas -à -Disjoncteur (par Diode )

Pour les appareils de traitement de la chaleur, le système de chauffage doit être équipé d'un système de chauffage de type "H" (exemple:

0.018

0.023

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vis M6 Montage Couple , Vis M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g