Module IGBT, GD950HTX75P6HFLB Starpower

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

950

A

Je C

Courant collecteur @ T F = 90 o C

450

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1900

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75 o C T j = 175 o C

877

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

750

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté rente

950

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1900

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pendant 10 secondes dans une période de 30 secondes, occurrence maximum 3000 fois sur toute la durée de vie

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.25

1.50

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.35

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 175 o C

1.40

Je C =950A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.60

Je C =950A,V Généralement générés = 15 V, T j = 175 o C

2.05

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =9.60 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.0

5.7

7.0

V. Le groupe

Je C =9.60 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 175 o C

3.5

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =50V, f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

42.1

nF

C oes

Capacité de sortie

1.80

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.18

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe CE =400V,I C =450A, V Généralement générés =-8... +15V

3.01

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T j = 25 o C

126

n.S.

t r

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

639

n.S.

t f

Temps d'automne

149

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

25.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T j = 150 o C

136

n.S.

t r

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

715

n.S.

t f

Temps d'automne

221

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

22.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

31.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C =450A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T j = 175 o C

138

n.S.

t r

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

739

n.S.

t f

Temps d'automne

227

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

24.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

32.6

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

5100

A

T j = 25 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V

t P ≤3μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 175 o C,V CC =400V, V. Le groupe MEC ≤750V

3800

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.40

1.65

V. Le groupe

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.35

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.30

Je F =950A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.75

Je F =950A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.75

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =450A,

-di/dt=7070A/μs,V Généralement générés = 8V L S =24 nH ,T j = 25 o C

16.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

254

A

E réc

Récupération Énergie

5.03

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =450A,

-di/dt=6150A/μs,V Généralement générés = 8V L S =24 nH ,T j = 150 o C

36.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

320

A

E réc

Récupération Énergie

9.49

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =450A,

-di/dt=6010A/μs,V Généralement générés = 8V L S =24 nH ,T j = 175 o C

40.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

338

A

E réc

Récupération Énergie

10.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

T plaque de base <40 o C

T plaque de base 40o C

(pression relative)

2.5 2.0

bar

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.098 0.140

0.114 0.160

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g