Module IGBT GD820HFA75N6HY Starpower

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

820

A

IC

Courant collecteur @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

ICRM

Répétitif Picote Le collecteur Actuel tp limité par T vjop

1640

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =65o C T vj =175o C

909

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

750

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

820

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

IMFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

1640

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

7.3 7.3

mm

d Clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

7.3 4.0

mm

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.40

IC=820A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.30

IC=820A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.50

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=12.9le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.0

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =50V, f=100kHz, V Généralement générés =0V

72.3

nF

Coes

Capacité de sortie

1.51

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.32

nF

QG

Charge de la porte

V CE =400V, IC=680A, V Généralement générés =-10…+15V

4.10

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

n.S.

t r

Il est temps de monter.

60

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

664

n.S.

t f

Temps d'automne

67

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

16.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

17.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

n.S.

t r

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

750

n.S.

t f

Temps d'automne

125

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

26.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

22.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, R G= 2,4Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

n.S.

t r

Il est temps de monter.

79

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

764

n.S.

t f

Temps d'automne

139

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

27.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

23.0

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤3μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =175o C,V CC =450V, V MEC ≤750V

3300

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.55

IF =820A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.70

IF =820A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.65

Qr

Charge récupérée

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V Généralement générés =-8V, T vj =25o C

12.4

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

273

A

Eréc

Récupération Énergie

3.45

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V Généralement générés =-8V, T vj =150o C

27.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

319

A

Eréc

Récupération Énergie

6.51

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V Généralement générés =-8V, T vj =175o C

31.8

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

334

A

Eréc

Récupération Énergie

7.26

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R

Nominale Résistance

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

oh oh

T Cr

Coefficient de température nt

0.38

%/K

T SH

Auto Chauffage

T C=0 o C

Im =0,1...0,3 mA

0.4

K/mW

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

5

nH

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi △V/ △t=2,67 L/ mIN ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.m.

G

Poids de Module

220

g