GD1000HFA120C6S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

E C

Courant collecteur @ T F =75o C

765

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

2000

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C ,T j =175o C

1515

L

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E FN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

765

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

2000

A

E Le FSM

Courant de surtension avant t p =10ms @ T j =25o C @T j =150C

4100

3000

A

E 2t

E 2t-valeur,t p =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A 2s

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.45

1.90

V

E C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.65

E C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.80

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

51.5

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.36

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

13.6

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G =0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

842

n.S.

t f

Temps d'automne

84

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

144

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

87.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G =0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

155

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

915

n.S.

t f

Temps d'automne

135

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

186

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

104

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G =0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

172

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

950

n.S.

t f

Temps d'automne

162

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

209

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

114

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤8μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤les autres

3200

A

t P ≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =175o C,V CC =800V, V MEC ≤les autres

3000

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =1000A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

E F =1000A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.70

E F =1000A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.60

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T j =25o C

91.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

441

A

E réc

Récupération Énergie

26.3

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T j =125o C

141

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

493

A

E réc

Récupération Énergie

42.5

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T j =175o C

174

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

536

A

E réc

Récupération Énergie

52.4

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.80

mΩ

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par Di (voir aussi △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.066 0.092

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

400

g