Présentation succincte
Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 400A. Je suis désolé.
Caractéristiques
- Technologie IGBT NPT
- capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Alimentation en mode commutation
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté
L'IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=60o C |
519
400
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
800 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T vj =150o C |
2450 |
L |
Diode
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
400 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
800 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T vjmax |
Température maximale de jonction |
150 |
o C |
T vjop |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +125 |
o C |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute |
2500 |
V |
L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation |
IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=16.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
0.6 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
26.0 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
1.70 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15…+15V |
|
4.2 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C= 400A, R G=2.2Ω, LS =30nH , V Généralement générés =±15V,T vj =25o C
|
|
252 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
63 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
427 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
44 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
24.7 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
16.5 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C= 400A, R G=2.2Ω, LS =30nH , V Généralement générés =±15V,T vj =125o C
|
|
258 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
65 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
465 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
57 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
35.2 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
22.6 |
|
je suis désolé. |
ISC |
Données SC |
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T vj =125o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V
|
|
1600 |
|
A |
Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant Tension |
IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F = 400A,
-di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V Généralement générés =-15V, T vj =25o C
|
|
38.9 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
401 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
13.8 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F = 400A,
-di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V Généralement générés =-15V, T vj =125o C
|
|
68.0 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
444 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
26.2 |
|
je suis désolé. |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
|
30 |
nH |
R CC+EE |
Module de résistance au plomb, Terminal au chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R le CJJ |
Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi |
|
|
0.051 0.114 |
Pour les produits de base |
|
R thCH
|
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous) |
|
0.019 0.042 0.010 |
|
Pour les produits de base |
M |
Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
300 |
|
g |
EN
