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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD600HFY120C6S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT, 1200V 600A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 600A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Maximum température de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Véhicule hybride et électrique ve hicle
  • Inverseur pour moteur d rive
  • Alimentation sans interruption barre fourniture

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1090

600

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

3947

L

Diode

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

600

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.90

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.95

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

62.1

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.74

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

4.62

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

136

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

77

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

494

n.S.

t f

Temps d'automne

72

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

53.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

48.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

179

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

77

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

113

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

70.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

74.2

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A, Barre G =1.5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

179

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

85

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

670

n.S.

t f

Temps d'automne

124

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

76.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

81.9

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

2.05

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

2.10

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j =25o C

58.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

276

A

E réc

Récupération Énergie

20.9

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j =125o C

109

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

399

A

E réc

Récupération Énergie

41.8

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j =150o C

124

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

428

A

E réc

Récupération Énergie

48.5

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.038

0.066

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028

0.049

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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