Présentation succincte
Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1700V 50A. Je suis désolé.
Caractéristiques
- Technologie IGBT à faible VCE (sat)
- capacité de court-circuit de 10 μs
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
-
Température maximale de la jonction 175 ℃
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Invertisseurs pour moteur
- Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
- Énergie ininterrompue
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté
Unité de mesure de la pression
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1700 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C |
100
50
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
100 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C |
384 |
L |
Déplacement de diode
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1700 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
50 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
100 |
A |
Diode-redresseur
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1600 |
V |
IO |
Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale |
50 |
A |
ILe FSM |
Courant de surtension en avant V R =0V,T p =10ms,T j =45o C |
850 |
A |
I2t |
I2valeur-t,V R =0V,T p =10m s,T j =45o C |
3610 |
A2s |
Frein IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1700 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C |
100
50
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
100 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C |
384 |
L |
Diode -frein
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1700 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
50 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
100 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T jmax |
Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur) |
175
150
|
o C |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +150 |
o C |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute |
4000 |
V |
L'IGBT -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=2.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance de porte interne valeurs |
|
|
9.5 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
6.02 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.15 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15 ... + 15V |
|
0.47 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
163 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
44 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
290 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
347 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
12.7 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
7.28 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C
|
|
186 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
51 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
361 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
535 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
17.9 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
11.1 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C
|
|
192 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
52 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
374 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
566 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
20.0 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
12.0 |
|
je suis désolé. |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T j =150o C,V CC =1000V, V MEC ≤ 1700V
|
|
200
|
|
A
|
Diode -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.90 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C
|
|
11.8 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
48 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
6.08 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C
|
|
20.7 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
52 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
11.4 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C
|
|
23.7 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
54 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
13.1 |
|
je suis désolé. |
Diode -redresseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant Tension |
IF =50A, V Généralement générés =0V, T j =150o C |
|
1.14 |
|
V |
IR |
Courant inverse |
T j =150o C,V R =1600V |
|
|
3.0 |
le nombre de |
L'IGBT -frein Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=2.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance interne de la porte |
|
|
9.5 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
6.02 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.15 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15 ... + 15V |
|
0.47 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
163 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
44 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
290 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
347 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
12.7 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
7.28 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C
|
|
186 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
51 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
361 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
535 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
17.9 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
11.1 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C=50A, R G=9,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C
|
|
192 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
52 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
374 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
566 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
20.0 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
12.0 |
|
je suis désolé. |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T j =150o C,V CC =1000V, V MEC ≤ 1700V
|
|
200
|
|
A
|
Diode -frein Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.95 |
|
IF =50A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.90 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C
|
|
11.8 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
48 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
6.08 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C
|
|
20.7 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
52 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
11.4 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R = 900V,I F =50A,
-di/dt=850A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C
|
|
23.7 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
54 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
13.1 |
|
je suis désolé. |
NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
R 25 |
Résistance nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Déviation de R 100 |
T C=100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Puissance
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé. |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé. |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé. |
|
3433 |
|
K |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
60 |
|
nH |
R CC+EE R AA ’+CC ’ |
Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce |
|
4.00 2.00 |
|
mΩ |
|
R le CJJ
|
Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur) Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -frein )
Junction-to-Case (par Diode-br ake)
|
|
|
0.390 0.554 0.565 0.390 0.554 |
Pour les produits de base
|
|
R thCH
|
Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -frein )
Case-to-Heatsink (par Dio de-brake) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)
|
|
0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009 |
|
Pour les produits de base
|
M |
Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur |
3.0 |
|
6.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
300 |
|
g |
EN
