GD200HFX120C2SA_B36,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C = 100 o C

340

200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1190

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.95

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =8.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

3.75

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

20.7

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.58

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

1.55

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

150

n.S.

t r

Il est temps de monter.

32

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

330

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

9.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

11.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125 o C

161

n.S.

t r

Il est temps de monter.

37

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

412

n.S.

t f

Temps d'automne

165

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

20.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

17.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150 o C

161

n.S.

t r

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

433

n.S.

t f

Temps d'automne

185

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

22.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

19.1

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

2.40

2.90

V. Le groupe

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.95

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.80

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

20.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

160

A

E réc

Récupération Énergie

8.0

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125 o C

38.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

201

A

E réc

Récupération Énergie

14.2

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150 o C

44.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

212

A

E réc

Récupération Énergie

15.6

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.35

mΩ

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.126

0.211

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.032

0.053

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g