GD600HFX120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

Voltage transitoire de l'émetteur de la porte

±20

±30

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

2727

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.00

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.05

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

55.9

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

1.57

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

4.20

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,5Ω

je suis désolé. S =34nH, V Généralement générés =±15V,T j =25o C

109

n.S.

t r

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

469

n.S.

t f

Temps d'automne

68

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

42.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

46.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V Généralement générés =±15V,T j =125o C

143

n.S.

t r

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

597

n.S.

t f

Temps d'automne

107

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

56.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

70.5

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,5Ω,

LS =34nH ,

V Généralement générés =±15V,T j =150o C

143

n.S.

t r

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

637

n.S.

t f

Temps d'automne

118

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

61.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

77.8

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

2.05

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

2.10

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

58.9

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

276

A

Eréc

Récupération Énergie

20.9

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

109

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

399

A

Eréc

Récupération Énergie

41.8

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés =- 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

124

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

428

A

Eréc

Récupération Énergie

48.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.35

mΩ

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.055

0.089

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.032

0.052

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g