DG120X07T2, IGBT discrète, démarrage

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =135o C

240

120

A

E Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T jmax

360

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

893

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

650

V

E F

Courant continu de diode en avant @ T C =25o C @ T C =80o C

177

120

A

E FM

Diode Maximum Avant Actuel t p limité par T jmax

360

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

E C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.70

E C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.75

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =1.92le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

250

uA

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

/

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

14.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.42

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.86

uC

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C =120A, Barre G =7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =25o C

68

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

201

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

166

n.S.

t f

Temps d'automne

54

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.19

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.56

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C =120A, Barre G =7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =150o C

70

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

207

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

186

n.S.

t f

Temps d'automne

106

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.70

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.89

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C =120A, Barre G =7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =175o C

71

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

211

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

195

n.S.

t f

Temps d'automne

139

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.80

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.98

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150 o C,V CC =300V, V MEC ≤ 650 V

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =120A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

E F =120A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

E F =120A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.60

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40nH ,T j =25o C

184

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

1.65

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

17.2

A

E réc

Récupération Énergie

0.23

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40nH ,T j =150o C

221

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

3.24

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

23.1

A

E réc

Récupération Énergie

0.53

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40nH ,T j =175o C

246

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

3.98

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

26.8

A

E réc

Récupération Énergie

0.64

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.168 0.369

Pour les produits de base

Barre thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base