DG120X07T2, IGBT discrète, démarrage

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T jmax

360

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

893

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

650

V

IF

Courant continu de diode en avant @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFM

Diode Maximum Avant Actuel t p limité par T jmax

360

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=120A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.70

IC=120A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.75

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=1.92le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

250

uA

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

/

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

14.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.42

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.86

uC

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =25o C

68

n.S.

t r

Il est temps de monter.

201

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

166

n.S.

t f

Temps d'automne

54

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

7.19

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.56

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =150o C

70

n.S.

t r

Il est temps de monter.

207

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

186

n.S.

t f

Temps d'automne

106

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

7.70

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.89

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 300 V,I C=120A, R G=7.5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =175o C

71

n.S.

t r

Il est temps de monter.

211

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

195

n.S.

t f

Temps d'automne

139

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

7.80

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.98

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150 o C,V CC =300V, V MEC ≤ 650 V

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =120A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

IF =120A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.60

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V LS =40nH ,T j =25o C

184

n.S.

Qr

Charge récupérée

1.65

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

17.2

A

Eréc

Récupération Énergie

0.23

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V LS =40nH ,T j =150o C

221

n.S.

Qr

Charge récupérée

3.24

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

23.1

A

Eréc

Récupération Énergie

0.53

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V LS =40nH ,T j =175o C

246

n.S.

Qr

Charge récupérée

3.98

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

26.8

A

Eréc

Récupération Énergie

0.64

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.168 0.369

Pour les produits de base

R thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base