DG120X07T2, IGBT discrète, démarrage

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =135 o C

240

120

Une

Je Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T jmax

360

Une

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

893

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

650

V. Le groupe

Je F

Courant continu de diode en avant @ T C = 25 o C @ T C = 80 o C

177

120

Une

Je FM

Diode Le montant maximal Avant Actuel t p limité par T jmax

360

Une

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V. Le groupe

Je C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.70

Je C =120A,V Généralement générés = 15 V, T j = 175 o C

1.75

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =1.92 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.1

5.8

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

250

uA

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

200

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

/

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

14.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.42

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

0.86

uC

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 300 V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, L S =40 nH ,T j = 25 o C

68

n.S.

t r

Il est temps de monter.

201

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

166

n.S.

t f

Temps d'automne

54

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.19

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.56

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 300 V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, L S =40 nH ,T j = 150 o C

70

n.S.

t r

Il est temps de monter.

207

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

186

n.S.

t f

Temps d'automne

106

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.70

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.89

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 300 V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, L S =40 nH ,T j = 175 o C

71

n.S.

t r

Il est temps de monter.

211

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

195

n.S.

t f

Temps d'automne

139

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

7.80

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.98

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =300V, V. Le groupe MEC ≤ 650 V

600

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =120A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.65

2.10

V. Le groupe

Je F =120A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.60

Je F =120A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.60

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40 nH ,T j = 25 o C

184

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

1.65

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

17.2

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

0.23

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40 nH ,T j = 150 o C

221

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

3.24

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

23.1

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

0.53

je suis désolé.

t rR

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R = 300 V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V Généralement générés =-15V L S =40 nH ,T j = 175 o C

246

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

3.98

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

26.8

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

0.64

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.168 0.369

Pour les produits de base

R thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base