YMIBD800-17,Module IGBT,Interrupteur double IGBT,CRRC

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(valeur)

(Unité)

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

Les données sont fournies par le système de mesure. 。C

1700

V. Le groupe

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

TC = 25 。C

± 20

V. Le groupe

Le C

Courant collecteur-émetteur

TC = 80 。C

800

A

Je C ((PK)

Courant de collecteur de pointe

t P=1ms

1600

A

P max

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

Je ne

Diode I 2t

Pour les appareils de type V, la valeur de la tension maximale est de 0,01 V. 。C

120

kA2s

Le visol

Voltage d'isolation par module

(Terminals communs à la plaque de base),

RMS AC, 1 min, 50 Hz, TC = 25 。C

4000

V. Le groupe

Q PD

Décharge partielle par module

- Je ne peux pas. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50 Hz RMS, TC = 25 。C

10

pC

(Le symbole )

(Paramètre )

(conditions d'essai)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Unité )

I CES

Courant de coupure du collecteur

V GE = 0V,VCE = VCES

1

le nombre de

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

le nombre de

I GES

Courant de fuite de grille

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Tension de seuil de porte

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Voltage de saturation du collecteur-émetteur

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V. Le groupe

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V. Le groupe

I F

Courant direct de la diode

dC CC

800

A

I FRM

Le diode est équipé d'un système de décharge de courant

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Tension Directe de Diode

I F = 800A

1.70

2.00

V. Le groupe

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V. Le groupe

C ies

Capacité d'entrée

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Charge de la porte

±15V

9

le taux de décharge

C res

Capacité de transfert inverse

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Inductance du module

20

nH

R INT

Résistance interne du transistor

270

μΩ

I SC

Courant de court-circuit, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

n.S.

t f

Temps d'automne

220

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

220

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

320

n.S.

t r

Il est temps de monter.

190

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

160

je suis désolé.

Q rr

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

510

A

E rec

Énergie de récupération inverse de la diode

180

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

n.S.

t f

Temps d'automne

280

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

290

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

400

n.S.

t r

Il est temps de monter.

250

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

230

je suis désolé.

Q rr

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

580

A

E rec

Énergie de récupération inverse de la diode

280

je suis désolé.