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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1200V

GD400HFY120C2S, module IGBT, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD400HFY120C2S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

2083

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

400

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC= 10.0mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.9

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

41.4

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

1.16

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =15V

3.11

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

257

n.S.

t r

Il est temps de monter.

96

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

103

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

23.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

34.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

268

n.S.

t r

Il est temps de monter.

107

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

659

n.S.

t f

Temps d'automne

144

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

35.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

51.5

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,0Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

278

n.S.

t r

Il est temps de monter.

118

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

680

n.S.

t f

Temps d'automne

155

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

38.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

56.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

1600

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

38.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

285

A

Eréc

Récupération Énergie

19.0

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

66.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

Eréc

Récupération Énergie

36.6

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

76.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

399

A

Eréc

Récupération Énergie

41.8

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce

0.35

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.072

0.095

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.035

0.046

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

image(c3756b8d25).png

Schéma de circuit équivalent

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