GD200HFQ120C2SD,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

324

200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

1181

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

2.25

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =8.00 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

3.8

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

21.6

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.59

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

1.68

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S = 45 nH , V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 25 o C

100

n.S.

t r

Il est temps de monter.

72

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

303

n.S.

t f

Temps d'automne

71

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

26.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.11

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S = 45 nH , V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 125 o C

99

n.S.

t r

Il est temps de monter.

76

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

325

n.S.

t f

Temps d'automne

130

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

33.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

8.58

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S = 45 nH , V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 150 o C

98

n.S.

t r

Il est temps de monter.

80

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

345

n.S.

t f

Temps d'automne

121

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

36.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

9.05

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

750

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V Généralement générés =-15V, L S = 45 nH ,T vj = 25 o C

19.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

96

A

E réc

Récupération Énergie

5.66

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V Généralement générés =-15V, L S = 45 nH ,T vj = 125 o C

29.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

106

A

E réc

Récupération Énergie

8.56

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Récupéré Charge

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V Généralement générés =-15V, L S = 45 nH ,T vj = 150 o C

32.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

107

A

E réc

Récupération Énergie

9.24

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.35

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.127 0.163

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.036 0.046 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g