■Caractéristiques
-
IGBT Die mince à très faibles pertes
- Conception SPT+ très robuste
- Grande SOA
- Passivation : Nitrure plus polyimide
■ les projets de recherche Le montant maximal Valeurs nominales
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité |
min |
max |
Voltage du collecteur-émetteur |
V. Le groupe Le CES |
V. Le groupe Généralement générés = 0 V |
|
3300 |
V. Le groupe |
Courant collecteur DC |
Je C |
|
|
63 |
A |
Courant de collecteur de pointe |
Je Cm |
Limité par Tvjmax |
|
125 |
A |
Voltage de l'émetteur de la porte |
V. Le groupe GES |
|
-20 |
+20 |
V. Le groupe |
SOA de court-circuit IGBT |
t psc |
V. Le groupe CC = 2500 V, V MEC ≤ 3300 V, V. Le groupe Généralement générés ≤ 15 V,T vj ≤ 150 ° C |
|
10 |
μs |
Température de jonction |
T vj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ les projets de recherche Les valeurs caractéristiques des IGBT
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Co tension de claquage collecteur-émetteur |
V(BR)CES |
VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C |
3300 |
|
|
V. Le groupe |
Voltage de saturation du collecteur-émetteur |
VCE (sat) |
IC = 63 A, VGE = 15 V |
Tvj = 25 °C |
|
2.45 |
2.95 |
V. Le groupe |
Tvj = 150 °C |
|
3.30 |
3.80 |
V. Le groupe |
Courant de coupure collecteur-émetteur |
Le CIEM |
VCE = 3300 V,VGE = 0 V |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 150 °C |
|
2000 |
|
µA |
Courant de fuite de l'émetteur de la porte |
IGES |
VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Voltage de seuil de la porte émetteur |
VGE (ème) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
5.8 |
6.8 |
7.8 |
V. Le groupe |
Charge de la porte |
Le siège |
IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V |
|
500 |
|
nC |
Capacité d'entrée |
Les |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.38 |
|
nF |
Capacité de sortie |
Coes |
|
0.5 |
|
nF |
Capacité de transfert inverse |
Des produits |
|
0.13 |
|
nF |
Résistance interne de la porte |
RGint |
|
|
5 |
|
oh |
Temps de retard d'activation |
le numéro de téléphone |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, charge inductive
|
Tvj = 25 °C |
|
600 |
|
n.S. |
Tvj = 150 °C |
|
680 |
|
n.S. |
Il est temps de monter. |
le |
Tvj = 25 °C |
|
260 |
|
n.S. |
Tvj = 150 °C |
|
300 |
|
n.S. |
Temps de retard de déclenchement |
le numéro de téléphone |
Tvj = 25 °C |
|
1700 |
|
n.S. |
Tvj = 150 °C |
|
1900 |
|
n.S. |
Temps d'automne |
tf |
Tvj = 25 °C |
|
1000 |
|
n.S. |
Tvj = 150 °C |
|
1500 |
|
n.S. |
Énergie de commutation |
Eon |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, charge inductive,
FWD : ½ DD125F33K2
|
Tvj = 25 °C |
|
67 |
|
je suis désolé. |
Tvj = 150 °C |
|
91 |
|
je suis désolé. |
Énergie de commutation de débranchement |
Je vous en prie. |
Tvj = 25 °C |
|
88 |
|
je suis désolé. |
Tvj = 150 °C |
|
110 |
|
je suis désolé. |
Courant de court-circuit |
CSI |
VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V |
|
270 |
|
A |
Catalogue des IGBT Dies
- Une gamme de produits variée répond à la demande des clients en matière de dies IGBT de différentes tensions.
- Les clients peuvent choisir entre des plaquettes de 8 pouces et de 12 pouces, ce qui les aide efficacement à réduire leurs coûts.
L'IGBT Catalogue des dies
Numéro d'article
|
S p ec |
TECHNOLOGIE |
Bande |
Tension |
C courant |
10 |
les autres |
50A |
Ép T -FS |
|
pour les appareils électroniques |
62.5A |
Ép T -FS |
|
unité de régulation |
75A |
Trench-FS |
|
100A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
les autres |
100A |
Trench-FS |
|
140A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
250A |
Trench-FS |
|
300A |
Trench-FS |
|
950V |
100A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
750V |
200A |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650V |
75A |
Trench-F S |
|
Usines modernes automatisées
L'usine automatisée moderne garantit que tous les indicateurs de performance de notre produits sont très cohérents, minimisant au maximum les différences entre les paramètres de chaque produit. Cela garantit non seulement la fiabilité et la cohérence de nos produits, mais constitue également une assurance essentielle pour le fonctionnement sûr et fiable des équipements de nos clients.
Laboratoire bien équipé
Nous disposons d'un laboratoire bien équipé pour les tests et contrôlons rigoureusement la qualité de nos produits. Cela permet d'assurer un taux de conformité de 100 % pour les produits livrés aux clients.
Capacité de production suffisante
La solide capacité globale du fabricant et sa capacité de production suffisante garantissent la livraison ponctuelle de chaque commande.
Applications variées
Nos dies IGBT peuvent répondre aux exigences de fabrication des modules IGBT utilisés dans des équipements électriques destinés à des domaines industriels tels que le transport ferroviaire, le transport d'énergie électrique, la production d'énergie solaire, le stockage d'énergie, les appareils de chauffage par induction, les machines à souder et le contrôle automatique.
La grande variété d'applications industrielles a pleinement confirmé la qualité de nos dies IGBT, et nous avons reçu des éloges et une forte approbation de la part de nos clients.
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EN
