GD300HFX170C2SA, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

1829

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=12.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

36.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.88

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

2.83

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V Généralement générés = ± 15 V,

T vj =25o C

355

n.S.

t r

Il est temps de monter.

71

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

473

n.S.

t f

Temps d'automne

337

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

89.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

46.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V Généralement générés = ± 15 V,

T vj =125o C

383

n.S.

t r

Il est temps de monter.

83

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

549

n.S.

t f

Temps d'automne

530

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

126

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

68.5

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V Généralement générés = ± 15 V,

T vj =150o C

389

n.S.

t r

Il est temps de monter.

88

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

575

n.S.

t f

Temps d'automne

585

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

139

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

73.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MEC ≤ 1700V

1200

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.95

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/μs,V Généralement générés =-15V LS =42nH ,T vj =25o C

68

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

202

A

Eréc

Récupération Énergie

34.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/μs,V Généralement générés =-15V LS =42nH ,T vj =125o C

114

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

211

A

Eréc

Récupération Énergie

61.2

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/μs,V Généralement générés =-15V LS =42nH ,T vj =150o C

136

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

217

A

Eréc

Récupération Énergie

73.9

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.35

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.082 0.127

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.033 0.051 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g