GD300HFX170C6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

1829

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

300

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

600

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC= 12,0 mA,V CE =V Généralement générés ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

36.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.88

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

2.83

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, Barre Gon = 3,3Ω,

Barre Goff = 4,7Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j =25o C

213

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

83

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

621

n.S.

t f

Temps d'automne

350

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

79.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

70.2

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, Barre Gon = 3,3Ω,

Barre Goff = 4,7Ω, V Généralement générés = ± 15 V,

T j = 125o C

240

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

92

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

726

n.S.

t f

Temps d'automne

649

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

104

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

108

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 300A, Barre Gon = 3,3Ω, Barre Goff = 4,7Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

248

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

95

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

736

n.S.

t f

Temps d'automne

720

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

115

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

116

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

1200

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.95

Qbarre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

82.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

407

A

Eréc

Récupération Énergie

46.6

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

138

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

462

A

Eréc

Récupération Énergie

92.2

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

154

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

460

A

Eréc

Récupération Énergie

109

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de Barre 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.082 0.129

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.029 0.046 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g