■Caractéristiques
-
IGBT Die mince à très faibles pertes
- Conception SPT+ très robuste
- Grande SOA
- Passivation : Nitrure plus polyimide
■ les projets de recherche Le montant maximal Valeurs nominales
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité |
min |
max |
Voltage du collecteur-émetteur |
VCES |
VGE = 0 V |
|
4500 |
V. Le groupe |
Courant collecteur DC |
IC |
|
|
631) |
A |
Courant de collecteur de pointe |
MIC |
Limité par Tvjmax |
|
100 |
A |
Voltage de l'émetteur de la porte |
VGES |
|
-20 |
+20 |
V. Le groupe |
SOA de court-circuit IGBT |
tPSC |
VCC = 3400 V, VCEM ≤ 4500 V, VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
Température de jonction |
Tvj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ les projets de recherche Les valeurs caractéristiques des IGBT
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Voltage de rupture du collecteur-émetteur |
V(BR)CES |
VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C |
4500 |
|
|
V. Le groupe |
Voltage de saturation du collecteur-émetteur |
VCE (sat) |
IC = 63 A, VGE = 15 V |
Tvj = 25 °C |
|
2.70 |
3.05 |
V. Le groupe |
Tvj = 125 °C |
|
3.35 |
3.85 |
V. Le groupe |
Courant de coupure collecteur-émetteur |
Le CIEM |
VCE = 4500 V, VGE = 0 V |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
µA |
Courant de fuite de l'émetteur de la porte |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ±20 V, Tvj = 125 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Voltage de seuil de la porte émetteur |
VGE (ème) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
6.7 |
7.2 |
7.7 |
V. Le groupe |
Charge de la porte |
Le siège |
IC = 63 A, VCE = 2800 V, VGE = -15 V ~ 15 V |
|
520 |
|
nC |
Capacité d'entrée |
Les |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.46 |
|
nF |
Capacité de sortie |
Coes |
|
0.46 |
|
nF |
Capacité de transfert inverse |
Des produits |
|
0.17 |
|
nF |
Résistance interne de la porte |
RGint |
|
|
5 |
|
oh |
Catalogue des IGBT Dies
- Une gamme de produits variée répond à la demande des clients en matière de dies IGBT de différentes tensions.
- Les clients peuvent choisir entre des plaquettes de 8 pouces et de 12 pouces, ce qui les aide efficacement à réduire leurs coûts.
L'IGBT Catalogue des dies
Numéro d'article
|
S p ec |
TECHNOLOGIE |
Bande |
Tension |
C courant |
10 |
les autres |
50A |
Ép T -FS |
|
pour les appareils électroniques |
62.5A |
Ép T -FS |
|
unité de régulation |
75A |
Trench-FS |
|
100A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
les autres |
100A |
Trench-FS |
|
140A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
250A |
Trench-FS |
|
300A |
Trench-FS |
|
950V |
100A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
750V |
200A |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650V |
75A |
Trench-FS |
|
Usine
L'usine automatisée moderne garantit que tous les indicateurs de performance de notre produits sont très cohérents, minimisant au maximum les différences entre les paramètres de chaque produit. Cela garantit non seulement la fiabilité et la cohérence de nos produits, mais constitue également une assurance essentielle pour le fonctionnement sûr et fiable des équipements de nos clients.
laboratoire
Nous disposons d'un laboratoire bien équipé pour les tests et contrôlons rigoureusement la qualité de nos produits. Cela permet d'assurer un taux de conformité de 100 % pour les produits livrés aux clients.
Capacité de production
La solide capacité globale du fabricant et sa capacité de production suffisante garantissent la livraison ponctuelle de chaque commande.
Applications
Nos dies IGBT peuvent répondre aux exigences de fabrication des modules IGBT utilisés dans des équipements électriques destinés à des domaines industriels tels que le transport ferroviaire, le transport d'énergie électrique, la production d'énergie solaire, le stockage d'énergie, les appareils de chauffage par induction, les machines à souder et le contrôle automatique.
La grande variété d'applications industrielles a pleinement confirmé la qualité de nos dies IGBT, et nous avons reçu des éloges et une forte approbation de la part de nos clients.
Nos utilisateurs
Nos utilisateurs couvrent divers secteurs industriels.
Pourquoi nous choisir ?
B beijing World E To Technology Co., Ltd. est un principal fournisseur de produits semiconducteurs en Chine, tels que les modules IGBT, les composants IGBT discrets, les puces IGBT, les convertisseurs ADC/DAC, les thyristors. Spécialisée dans la distribution officielle des marques CRRC, Starpower, Techsem et NARI, et disposant des qualifications pour les importations et exportations ainsi que de 11 ans d'expérience dans ce secteur, nous exportons vers la Russie, les Émirats Arabes Unis et de nombreux autres pays d'Europe.
Nous appliquons des exigences strictes dans le choix des fabricants, disposons d'équipes techniques professionnelles et contrôlons la qualité des produits afin d'assurer le bon déroulement des projets de nos clients dans les domaines du transport ferroviaire, de l'industrie électrique, des véhicules électriques, des onduleurs de moteurs et des convertisseurs de fréquence.
Par ailleurs, aider les clients à personnaliser divers thyristors et ensembles de puissance selon leurs exigences en matière de paramètres spéciaux constitue un autre élément important de notre fabrication sous contrat et l'un de nos avantages.
Une livraison sécurisée
Nous collaborons avec des entreprises internationales de premier plan en matière de transport de marchandises afin d'assurer un acheminement ponctuel.
En même temps, nous emballons soigneusement chaque lot marchandises destiné à nos clients conformément à leurs exigences, afin de garantir que nos marchandises soient livrées intactes et sans dommage.
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