H38ZPU, Diode redresseuse

Je _T(AV)

400Une

V. Le groupe _RRM

8100V 8300V

8500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés

TC=85 ℃

150

400

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

8000

8500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM tp=10ms

150

50

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

onde sinusoïdale de 10ms. VR=0.6VRRM

150

6.0

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

180

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

150

1.40

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

2.20

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=1000A, F=24kN

25

2.55

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

2500

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

déplacement de la chaudière Force de serrage 15kN

0.045

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.008

FM

Force de montage

10

20

kN

Tvj

Température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

300

g

Le schéma

ZT33dT