Introduction brève
Produits de la série IGCT
Notre entreprise fournit des thyristors à commutation par grille intégrée (IGCT) haute performance produits destinés aux applications électroniques de puissance haute puissance et moyenne tension. L’IGCT combine les avantages de la technologie thyristor et de la technologie avancée de commutation par grille, offrant une forte tenue en tension, une capacité de courant extrêmement élevée, de faibles pertes en conduction, d’excellentes performances de commutation et une fiabilité remarquable.
Le portefeuille de produits IGCT comprend deux grandes séries :
1. IGCT à conduction inverse (RC-IGCT)
L’IGCT à conduction inverse intègre l’IGCT et la diode de roue libre dans une seule structure semi-conductrice, offrant une solution compacte avec d’excellentes performances de commutation et une conception système simplifiée. Il convient largement aux applications telles que les variateurs moyenne tension, les convertisseurs et les systèmes onduleurs haute puissance.
2. IGCT asymétrique (A-IGCT)
L’IGCT asymétrique est optimisé pour les applications de commutation à haute puissance, offrant d’excellentes capacités d’extinction, de faibles pertes en conduction et une forte densité de courant. Il est conçu pour des applications exigeantes nécessitant une capacité maximale de gestion de la puissance, notamment les convertisseurs moyenne tension, les variateurs industriels et les systèmes de conversion d’énergie à haute puissance.
Grâce à une technologie semi-conductrice avancée et à un conditionnement fiable en boîtier pressé, nos produits IGCT fournissent des solutions efficaces et fiables pour les systèmes HVDC, la conversion d’énergie renouvelable, les variateurs de moteurs industriels, les systèmes de traction et d’autres applications à haute puissance.
Applications
Convertisseur de haute puissance
Équipement de commande de moteur
Système de transmission flexible
Caractéristiques
Avec capacité d'auto-arrêt
Faibles pertes de fonctionnement
Convient pour utilisation en série
Clé Paramètres
V DRM |
4500 |
V |
E TGQM |
5000 |
A |
E TSM |
35 |
kA |
V À |
1.22 |
V |
barre T |
0.28 |
mΩ |
V Le lien DC |
2800 |
V |
Blocage Données
Le symbole |
État |
Min |
Type |
Max |
Unité |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , ID ≤ IDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
Je DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = VDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
le nombre de |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 × VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
tension continue intermédiaire autorisée correspondant à un taux de défaillance de 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
RRVM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
État passant Données
Le symbole |
État |
Min |
Type |
Max |
Unité |
E T (RMS) |
TC = 85 ℃ , Demi-onde sinusoïdale, refroidissement double-face |
- |
- |
3000 |
A |
|
E TSM
E 2t
|
TVJ = 125 ℃ , Demi-onde sinusoïdale, 10 ms, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104A 2s
|
V TM |
TVJ = 125 °C, IT = 5 000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V À
barre T
|
TVJ = 125 °C, IT = 1 000…5 000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V mΩ |
On le met en marche Données
Le symbole |
État |
Min |
Type |
Max |
Unité |
diT/dt |
TVJ = 125 °C, IT = 5 000 A, VD = 2 800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 °C, IT = 5 000 A, VD = 2 800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E on |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Données de débranchement
Le symbole |
État |
Min |
Typ e |
Max |
Unité |
|
E TGQM
|
TVJ = 125 °C, VDM ≤ VDRM, VD = 2 800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0…300 Hz
DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
A
|
|
t - Je ne sais pas.
t doffSF
t f
E OFF
|
TVJ = 125 °C, ITGQ = 5 000 A, VD = 2 800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω
L i =4μH, L CL = 0.3μH
DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
